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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IRFP054PBF由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFP054PBF价格参考¥19.72-¥25.33。VishayIRFP054PBF封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IRFP054PBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRFP054PBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IRFP054PBF 是 Vishay Siliconix(现为 Vishay Microelectronics)生产的一款 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件广泛应用于需要高效、高频率开关性能的电路中。其主要应用场景包括: 1. 电源管理:用于开关电源(SMPS)、DC-DC 转换器和电源适配器中,实现高效的能量转换。 2. 电机控制:适用于直流电机驱动、步进电机控制及电动工具等场合,提供快速开关和低导通电阻。 3. 逆变器与变频器:在UPS(不间断电源)、太阳能逆变器和变频驱动系统中,用于将直流电转换为交流电。 4. 汽车电子:用于车载电源系统、电机驱动、LED照明控制等对可靠性要求较高的场景。 5. 工业自动化:用于工业控制设备、PLC、继电器替代和负载开关等应用。 6. 消费类电子产品:如高效率充电器、电池管理系统(BMS)等。 该MOSFET具有低导通电阻(Rds(on))、高开关速度和耐用性强等特点,适合中高功率、高频应用。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
ChannelMode | Enhancement |
描述 | MOSFET N-CH 60V 70A TO-247ACMOSFET N-Chan 60V 70 Amp |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 70 A |
Id-连续漏极电流 | 70 A |
品牌 | Vishay / SiliconixVishay Siliconix |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix IRFP054PBF- |
数据手册 | http://www.vishay.com/doc?91200 |
产品型号 | IRFP054PBFIRFP054PBF |
Pd-PowerDissipation | 230 W |
Pd-功率耗散 | 230 W |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 14 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 14 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 60 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 60 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
上升时间 | 160 ns |
下降时间 | 150 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 4500pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 160nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 14 毫欧 @ 54A,10V |
产品目录绘图 | |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | TO-247-3 |
其它名称 | *IRFP054PBF |
典型关闭延迟时间 | 83 ns |
功率-最大值 | 230W |
包装 | 管件 |
商标 | Vishay / Siliconix |
安装类型 | 通孔 |
安装风格 | Through Hole |
封装 | Tube |
封装/外壳 | TO-247-3 |
封装/箱体 | TO-247-3 |
工厂包装数量 | 500 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 175 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 25 |
漏源极电压(Vdss) | 60V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 70A (Tc) |
通道模式 | Enhancement |
配置 | Single |