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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供SI8401DB-T1-E1由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI8401DB-T1-E1价格参考。VishaySI8401DB-T1-E1封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载SI8401DB-T1-E1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有SI8401DB-T1-E1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix的SI8401DB-T1-E1是一款N沟道增强型MOSFET,广泛应用于各种电力电子场景中。以下是其主要应用场景: 1. 电源管理:该MOSFET适用于开关电源(SMPS)、DC-DC转换器、降压或升压转换器等应用。它能够高效地控制电流流动,降低功耗并提高系统效率。 2. 电机驱动:在小型电机驱动电路中,SI8401DB-T1-E1可以用作开关元件,实现对电机速度和方向的精确控制,常见于消费电子、家用电器和工业自动化设备。 3. 负载切换:此型号适合用于负载切换应用,如电池管理系统(BMS)中的充放电路径控制,确保电路的安全运行并保护电池免受过流或短路损害。 4. 电池保护:在便携式电子产品中,该MOSFET可作为电池保护开关,防止过度充电或放电,延长电池寿命。 5. 信号切换:在需要低导通电阻和快速开关速度的应用中,例如音频放大器或多路复用器/解复用器中,它可以用来切换不同的信号路径。 6. 汽车电子:由于其良好的电气特性和可靠性,该器件也适用于汽车电子系统,如LED照明控制、车载信息娱乐系统及辅助驾驶系统的电源管理部分。 7. 通信设备:在基站、路由器和其他通信基础设施中,该MOSFET可用于功率调节和信号处理模块内,提供稳定且高效的性能。 综上所述,Vishay Siliconix的SI8401DB-T1-E1凭借其优异的性能参数,在众多领域都有着广泛的应用前景,特别是在需要高效能、小体积解决方案的地方表现出色。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET P-CH 20V 3.6A 2X2 4-MFP |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET P 通道,金属氧化物 |
| 品牌 | Vishay Siliconix |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
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| 产品型号 | SI8401DB-T1-E1 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | TrenchFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 1.4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | - |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 17nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 65 毫欧 @ 1A,4.5V |
| 产品目录页面 | |
| 供应商器件封装 | 4-Microfoot |
| 其它名称 | SI8401DB-T1-E1DKR |
| 功率-最大值 | 1.47W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 4-XFBGA,CSPBGA |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 3.6A (Ta) |