Datasheet下载- 型号： IXFH9N80Q
- 制造商： IXYS
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IXFH9N80Q由IXYS设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IXFH9N80Q价格参考。IXYSIXFH9N80Q封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IXFH9N80Q参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IXFH9N80Q 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IXYS品牌的IXFH9N80Q是一款高压N沟道MOSFET，属于晶体管中的功率MOSFET类别。该器件具有800V的高漏源击穿电压和9A的连续漏极电流能力，适用于高电压、中等电流的开关应用。 其主要应用场景包括： 1. 开关电源（SMPS）：广泛用于工业电源、通信电源及高效率AC-DC转换器中，作为主开关管使用，支持反激、正激或半桥拓扑结构，具备良好的开关性能和耐压能力。 2. 电机驱动：适用于工业电机控制、电动工具和家用电器中的电机驱动电路，尤其在需要高压供电的场合表现稳定。 3. 逆变器系统：常用于太阳能逆变器、UPS不间断电源等设备中，承担直流到交流的转换功能，具备良好的热稳定性和可靠性。 4. 照明电源：可用于高压荧光灯、LED驱动电源等电子镇流器电路中，支持高启动电压和持续工作需求。 5. 工业控制与电源管理：在高压电源模块、电焊机、激光电源等工业设备中作为关键开关元件，提供高效、可靠的功率控制。 IXFH9N80Q采用TO-247封装，具有良好的散热性能，适合高功率密度设计。其内部结构优化了雪崩能量耐受能力，增强了在瞬态高压环境下的鲁棒性。此外，该型号为全隔离型（Full Package Isolation），提高了绝缘性能和安全性，特别适用于对电气隔离要求较高的工业应用。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 800V 9A TO-247 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | IXYS |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | IXFH9N80Q |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | HiPerFET™ |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 5V @ 2.5mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2200pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 56nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 1.1 欧姆 @ 500mA，10V |
| 供应商器件封装 | TO-247AD （IXFH） |
| 功率-最大值 | 180W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-247-3 |
| 标准包装 | 30 |
| 漏源极电压(Vdss) | 800V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 9A （Tc） |
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