Datasheet下载- 型号： STB10N60M2
- 制造商： STMicroelectronics
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供STB10N60M2由STMicroelectronics设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STB10N60M2价格参考。STMicroelectronicsSTB10N60M2封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载STB10N60M2参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有STB10N60M2 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
STMicroelectronics的STB10N60M2是一款N沟道增强型功率MOSFET，广泛应用于需要高效功率转换和控制的场景。该器件具有低导通电阻、高耐压（600V）和良好的热稳定性，适用于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电机驱动、照明镇流器以及家用电器中的功率控制模块。此外，其优异的雪崩能量吸收能力使其在工业自动化和电机控制等高可靠性要求的场合表现出色。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 600V 7.5A D2PAKMOSFET N-Ch 600V 0.55 Ohm typ. 7.5A |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 7.5 A |
| Id-连续漏极电流 | 7.5 A |
| 品牌 | STMicroelectronics |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,STMicroelectronics STB10N60M2MDmesh™ II Plus |
| mouser_ship_limit | 该产品可能需要其他文件才能进口到中国。 |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | STB10N60M2 |
| Pd-PowerDissipation | 85 W |
| Pd-功率耗散 | 85 W |
| Qg-GateCharge | 13.5 nC |
| Qg-栅极电荷 | 13.5 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 600 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 600 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 650 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 650 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 25 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | +/- 25 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 4 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 4 V |
| 上升时间 | 8 ns |
| 下降时间 | 13.2 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 400pF @ 100V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 13.5nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 600 毫欧 @ 3A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | D2PAK |
| 其它名称 | 497-14528-6 |
| 典型关闭延迟时间 | 32.5 ns |
| 功率-最大值 | 85W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | STMicroelectronics |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 封装/箱体 | D2PAK-2 |
| 工厂包装数量 | 1000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 600V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 7.5A （Tc） |
| 系列 | STB10N60 |
| 配置 | Single |
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