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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供FQB4N25TM由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQB4N25TM价格参考。Fairchild SemiconductorFQB4N25TM封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载FQB4N25TM参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FQB4N25TM 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FQB4N25TM 是一款由 ON Semiconductor(安森美半导体)生产的 N 沟道增强型 MOSFET,属于晶体管 - FET、MOSFET - 单一类别。其主要应用场景包括但不限于以下领域: 1. 开关电源 (SMPS): FQB4N25TM 的高电压耐受能力(250V Vds)使其非常适合用于开关电源中的高频开关应用,例如降压或升压转换器、反激式变换器等。 2. 电机驱动与控制: 该 MOSFET 可用于小型直流电机或步进电机的驱动电路中,作为开关元件实现电机的启动、停止和速度调节功能。 3. 逆变器电路: 在光伏逆变器或其他类型的逆变器中,FQB4N25TM 可以用作功率级开关器件,将直流电转换为交流电输出。 4. 负载切换与保护: 它适用于需要快速切换负载电流的应用场景,如电池管理系统 (BMS) 中的负载保护电路或汽车电子系统中的继电器替代方案。 5. 照明设备: 在 LED 照明驱动电路中,这款 MOSFET 可以充当开关元件,用于调节 LED 的亮度或实现恒流驱动。 6. 家电与工业设备: FQB4N25TM 能够应用于各种家用电器(如风扇、吸尘器)以及工业自动化设备中的功率控制部分。 7. 电信与网络设备: 在通信基站或路由器的电源管理模块中,它可以用作高效能的开关组件。 由于其低导通电阻 (典型值为 0.5 Ω @ Vgs=10V) 和快速开关特性,FQB4N25TM 在这些应用中能够提供高效的功率转换并减少能量损耗。同时,其紧凑的封装形式也便于在空间受限的设计中使用。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | MOSFET N-CH 250V 3.6A D2PAK |
产品分类 | FET - 单 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
品牌 | Fairchild Semiconductor |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | FQB4N25TM |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | QFET® |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 5V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 200pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 5.6nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 1.75 欧姆 @ 1.8A,10V |
供应商器件封装 | D2PAK |
功率-最大值 | 3.13W |
包装 | 带卷 (TR) |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB |
标准包装 | 800 |
漏源极电压(Vdss) | 250V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 3.6A (Tc) |