Datasheet下载- 型号： STD8N80K5
- 制造商： STMicroelectronics
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供STD8N80K5由STMicroelectronics设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STD8N80K5价格参考。STMicroelectronicsSTD8N80K5封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载STD8N80K5参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有STD8N80K5 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
STD8N80K5 是 STMicroelectronics 生产的一款 N 沟道功率 MOSFET，属于晶体管 - FET、MOSFET - 单一类别。其主要应用场景包括： 1. 开关电源（SMPS） STD8N80K5 的高电压耐受能力（800V）使其非常适合用于开关电源中的高压开关应用。它可以在高频条件下高效地切换电流，适用于 AC-DC 或 DC-DC 转换器。 2. 电机驱动 该 MOSFET 可用于低频或中频电机驱动电路中，控制电机的启动、停止和速度调节。由于其低导通电阻（典型值为 1.6Ω），可以减少功率损耗并提高效率。 3. 逆变器 在太阳能逆变器或其他类型的逆变器中，STD8N80K5 可作为开关元件使用，将直流电转换为交流电。其高击穿电压和良好的热性能确保了在复杂环境下的稳定运行。 4. 负载开关 该器件可用于高电压负载开关应用中，例如工业设备或汽车电子系统中的负载管理。通过快速开启和关闭负载，实现节能和保护功能。 5. 过压保护电路 STD8N80K5 的高耐压特性使其适合用作过压保护开关。当检测到异常高电压时，MOSFET 可以迅速切断电路，避免损坏下游组件。 6. 继电器替代方案 在需要频繁切换的场景中，STD8N80K5 可以替代传统机械继电器，提供更快的响应速度和更长的使用寿命。例如，在家用电器或工业自动化设备中。 7. 电池管理系统（BMS） 在高压电池组中，STD8N80K5 可用于充放电路径的控制，确保电池安全运行并防止过流或短路。 总结来说，STD8N80K5 凭借其高电压、低导通电阻和可靠性能，广泛应用于电力电子领域，特别是在需要高效开关和高电压处理的场合。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N CH 800V 6A DPAKMOSFET N-Ch 800V 0.76 Ohm 6A SuperMESH 5 |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 6 A |
| Id-连续漏极电流 | 6 A |
| 品牌 | STMicroelectronics |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,STMicroelectronics STD8N80K5SuperMESH5™ |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | STD8N80K5 |
| Pd-PowerDissipation | 110 W |
| Pd-功率耗散 | 110 W |
| Qg-GateCharge | 16.5 nC |
| Qg-栅极电荷 | 16.5 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 950 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 950 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 800 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 800 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 30 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 4 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 4 V |
| 上升时间 | 14 ns |
| 下降时间 | 20 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 5V @ 100µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 450pF @ 100V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 16.5nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 950 毫欧 @ 3A， 10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | DPAK |
| 其它名称 | 497-13643-1 |
| 其它有关文件 | http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL824/SC1168/PF253674?referrer=70071840 |
| 典型关闭延迟时间 | 32 ns |
| 功率-最大值 | 110W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 商标 | STMicroelectronics |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 950 mOhms |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 封装/箱体 | DPAK-2 |
| 工厂包装数量 | 2500 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 汲极/源极击穿电压 | 800 V |
| 漏极连续电流 | 6 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 800V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 6A （Tc） |
| 系列 | STD8N80K5 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
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