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- 型号： RRS100P03TB1
- 制造商： ROHM Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供RRS100P03TB1由ROHM Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 RRS100P03TB1价格参考。ROHM SemiconductorRRS100P03TB1封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载RRS100P03TB1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有RRS100P03TB1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
RRS100P03TB1是罗姆半导体（Rohm Semiconductor）生产的一款P沟道MOSFET，属于晶体管中的场效应管（FET），适用于低电压、低功耗的开关应用。该器件具有30V的漏源电压（VDS）和较高的导通电阻（RDS(on)），适合用于便携式电子设备中的电源管理与信号切换。 其典型应用场景包括智能手机、平板电脑、可穿戴设备等消费类电子产品中的负载开关、电池供电切换、电源路径管理以及各类小型电机或外围模块的控制。由于采用小型封装（如TSMT4），该MOSFET节省空间，适合高密度PCB布局，同时具备良好的热稳定性和可靠性。 此外，RRS100P03TB1也可用于DC-DC转换电路中的同步整流或电平转换电路，在低电流条件下实现高效能开关操作。其P沟道特性使其在关断高边开关时无需额外的驱动电路，简化设计。整体而言，该型号适用于对尺寸、功耗和成本敏感的中低端电子系统，广泛应用于工业控制、家用电器和物联网终端设备中。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET P-CH 30V 10A 8SOIC |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Rohm Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | RRS100P03TB1 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | - |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | - |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | - |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | - |
| 供应商器件封装 | 8-SOIC |
| 功率-最大值 | - |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SOIC |
| 标准包装 | 2,500 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 10A （Ta） |
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