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IRF7425PBF产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IRF7425PBF由International Rectifier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRF7425PBF价格参考。International RectifierIRF7425PBF封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 P 沟道 20V 15A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO。您可以下载IRF7425PBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRF7425PBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies的IRF7425PBF是一款N沟道增强型MOSFET(金属氧化物场效应晶体管),属于单个FET类别。该型号广泛应用于各种电力电子设备中,尤其是在需要高效开关和低功耗的应用场景。 主要应用场景: 1. 电源管理: - IRF7425PBF常用于开关电源(SMPS)的设计中,如DC-DC转换器、AC-DC适配器等。其低导通电阻(Rds(on))特性有助于减少传导损耗,提高效率。 - 在电池管理系统(BMS)中,该MOSFET可用于电池充放电控制,确保电流在安全范围内流动,防止过充或过放。 2. 电机驱动: - 适用于小型电机驱动电路,如步进电机、直流无刷电机(BLDC)等。MOSFET的快速开关特性和低损耗特性使其成为电机控制的理想选择。 - 在电动工具、家电(如吸尘器、风扇)等设备中,IRF7425PBF可以实现高效的功率传输和精确的速度控制。 3. 负载开关: - 在消费电子产品中,如智能手机、平板电脑、笔记本电脑等,IRF7425PBF可用作负载开关,控制不同模块的供电状态,从而延长电池寿命并提高系统稳定性。 - 它还可以用于汽车电子系统中的负载切换,如车灯、雨刷等设备的控制。 4. 信号处理与保护: - 在通信设备和工业控制系统中,该MOSFET可用于信号隔离和保护电路,防止过流、短路等情况对敏感元件造成损害。 - 它还可以作为ESD(静电放电)保护元件,确保系统的可靠性和安全性。 总结: IRF7425PBF凭借其优异的电气性能和可靠性,在电源管理、电机驱动、负载开关以及信号处理等多个领域有着广泛的应用。它不仅能够提供高效的功率转换,还能确保系统的稳定性和安全性,是现代电子设计中的重要组件。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET P-CH 20V 15A 8-SOICMOSFET 20V 1 N-CH HEXFET 8.2mOhms 87nC |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET P 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | - 15 A |
| Id-连续漏极电流 | - 15 A |
| 品牌 | International Rectifier |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRF7425PBFHEXFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRF7425PBF |
| PCN组件/产地 | |
| Pd-PowerDissipation | 2.5 W |
| Pd-功率耗散 | 2.5 W |
| Qg-GateCharge | 87 nC |
| Qg-栅极电荷 | 87 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 8.2 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 8.2 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | - 20 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 20 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 12 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 12 V |
| 上升时间 | 20 ns |
| 下降时间 | 160 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 1.2V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 7980pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 130nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 8.2 毫欧 @ 15A,4.5V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26240 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 8-SO |
| 典型关闭延迟时间 | 230 ns |
| 功率-最大值 | 2.5W |
| 功率耗散 | 2.5 W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | International Rectifier |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 8.2 mOhms |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
| 封装/箱体 | SOIC-8 |
| 工厂包装数量 | 95 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 栅极电荷Qg | 87 nC |
| 标准包装 | 95 |
| 汲极/源极击穿电压 | - 20 V |
| 漏极连续电流 | - 15 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 15A (Ta) |
| 设计资源 | http://www.irf.com/product-info/models/saber/irf7425.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/spice/irf7425.spi |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single Quad Drain Triple Source |
| 闸/源击穿电压 | 12 V |