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  • 型号: FDPF12N50UT
  • 制造商: Fairchild Semiconductor
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FDPF12N50UT产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供FDPF12N50UT由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDPF12N50UT价格参考。Fairchild SemiconductorFDPF12N50UT封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 通孔 N 沟道 500V 10A(Tc) 42W(Tc) TO-220F。您可以下载FDPF12N50UT参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FDPF12N50UT 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

FDPF12N50UT 是一款由 ON Semiconductor(安森美半导体)生产的 N 沟道增强型 MOSFET,属于晶体管 - FET/MOSFET - 单一类别。该型号的应用场景主要包括以下方面:

 1. 开关电源(SMPS)
   - FDPF12N50UT 的高电压耐受能力(500V 额定击穿电压)使其非常适合用于开关电源中的高频开关应用,例如 AC-DC 转换器、DC-DC 转换器和 PFC(功率因数校正)电路。
   - 它可以作为主开关管或同步整流管,提供高效的电力转换。

 2. 电机驱动
   - 在工业控制、家用电器和电动工具中,FDPF12N50UT 可用于驱动中小型电机。其低导通电阻(Rds(on) = 0.9 Ω @ Vgs = 10V)有助于减少功率损耗,提高效率。
   - 特别适合需要高电压输入的电机控制应用。

 3. 逆变器
   - 该 MOSFET 可应用于太阳能逆变器、UPS(不间断电源)和其他类型的逆变器中,用于将直流电转换为交流电。
   - 其高耐压特性和良好的动态性能使其能够承受逆变器运行中的电压波动。

 4. 负载切换
   - 在需要频繁切换高电压负载的场景中,FDPF12N50UT 可用作负载开关,例如汽车电子系统、LED 照明驱动和工业自动化设备。
   - 其快速开关速度和低开关损耗特性有助于提高系统的响应速度和能效。

 5. 保护电路
   - 由于其高耐压能力和稳健的设计,FDPF12N50UT 可用于过流保护、短路保护和过压保护电路中,确保系统在异常情况下安全运行。
   - 常见于电池管理系统(BMS)和电源适配器中。

 6. 家电与消费电子
   - 在电磁炉、微波炉、空调压缩机等家电中,该 MOSFET 可用于功率控制和驱动部分。
   - 其紧凑的 TO-220 封装形式便于散热设计,适合集成到各种家电产品中。

 总结
FDPF12N50UT 凭借其高耐压、低导通电阻和出色的开关性能,广泛应用于开关电源、电机驱动、逆变器、负载切换和保护电路等领域。它特别适合需要处理高电压和中等电流的场景,同时兼顾效率和可靠性。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET N-CH 500V TO-220F-3MOSFET 500V 10A N-Chan Ultra FRFET

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

10 A

Id-连续漏极电流

10 A

品牌

Fairchild Semiconductor

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDPF12N50UTFRFET®

数据手册

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产品型号

FDPF12N50UT

Pd-PowerDissipation

42 W

Pd-功率耗散

42 W

Qg-GateCharge

21 nC

Qg-栅极电荷

21 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

650 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

650 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

500 V

Vds-漏源极击穿电压

500 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

30 V

Vgs-栅源极击穿电压

30 V

Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage

5 V

Vgsth-栅源极阈值电压

5 V

上升时间

45 ns

下降时间

35 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

5V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

1395pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

30nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

800 毫欧 @ 5A,10V

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

TO-220-3

典型关闭延迟时间

60 ns

功率-最大值

42W

包装

管件

单位重量

2.270 g

商标

Fairchild Semiconductor

安装类型

通孔

安装风格

Through Hole

封装

Tube

封装/外壳

TO-220-3 全封装,成形引线

封装/箱体

TO-220-3

工厂包装数量

50

晶体管极性

N-Channel

标准包装

50

正向跨导-最小值

11 S

漏源极电压(Vdss)

500V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

10A (Tc)

系列

FDPF12N50

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