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Datasheet下载- 型号： FDD4685
- 制造商： Fairchild Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FDD4685由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDD4685价格参考￥2.43-￥2.49。Fairchild SemiconductorFDD4685封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FDD4685参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FDD4685 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FDD4685是安森美（ON Semiconductor）推出的一款高性能N沟道增强型MOSFET，广泛应用于多种电源管理与功率控制场景。该器件采用先进的TrenchFET技术，具有低导通电阻（RDS(on)）、高开关效率和优良的热稳定性，适用于高密度、高效率的电源系统。 典型应用场景包括： 1. DC-DC转换器：在服务器、通信设备及工业电源中用于降压（Buck）或升压（Boost）电路，提升转换效率； 2. 电机驱动：用于电动工具、家用电器及工业控制中的小型电机控制，实现高效、低损耗的开关操作； 3. 电源开关与负载管理：在笔记本电脑、平板及消费类电子产品中作为负载开关，控制电源通断，降低待机功耗； 4. 电池管理系统（BMS）：在便携式设备和电动自行车等产品中用于电池充放电控制，保障系统安全； 5. 热插拔电路：用于电信与网络设备中，防止带电插拔时产生浪涌电流，保护后级电路。 FDD4685采用Power 33 PowerPAK封装，体积小、散热好，适合空间受限的高功率密度设计。其优异的性能使其在追求高效能与小型化的现代电子设备中成为理想选择。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET P-CH 40V 8.4A DPAKMOSFET -40V P-Channel PowerTrench MOSFET |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | - 32 A |
| Id-连续漏极电流 | - 32 A |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDD4685PowerTrench® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | FDD4685 |
| PCN封装 | |
| Pd-PowerDissipation | 69 W |
| Pd-功率耗散 | 69 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 27 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 27 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | - 40 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 40 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 15 ns |
| 下降时间 | 14 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2380pF @ 20V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 27nC @ 5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 27 毫欧 @ 8.4A，10V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-252 |
| 其它名称 | FDD4685CT |
| 典型关闭延迟时间 | 34 ns |
| 功率-最大值 | 3W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 单位重量 | 260.370 mg |
| 商标 | Fairchild Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 封装/箱体 | DPAK-2 |
| 工厂包装数量 | 2500 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 40V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 8.4A （Ta）， 32A （Tc） |
| 系列 | FDD4685 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
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