ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 > PUMB9,125
Datasheet下载- 型号： PUMB9,125
- 制造商： NXP Semiconductors
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PUMB9,125由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PUMB9,125价格参考。NXP SemiconductorsPUMB9,125封装/规格：晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置， Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 180MHz 300mW Surface Mount 6-TSSOP。您可以下载PUMB9,125参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PUMB9,125 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Nexperia 的 PUMB9,125 是一款集成双极结型晶体管（BJT）与偏置电阻的数字晶体管（Digital Transistor, DTR），采用 SOT363 封装，内置一个 NPN 晶体管及两个片上偏置电阻（R1=10 kΩ，R2=10 kΩ），具备内置基极-发射极并联电阻，支持直接逻辑电平驱动（如 3.3 V 或 5 V MCU GPIO），无需外接偏置电路。 典型应用场景包括： ✅ 中小功率开关控制：如 LED 驱动（指示灯、背光）、继电器/蜂鸣器驱动、小型电磁阀控制； ✅ 电平转换与信号调理：在 3.3 V MCU 与 5 V/12 V 外设间实现简易电平接口； ✅ 负载开关与电源使能（EN）控制：用于 DC-DC 转换器或 LDO 的使能端，实现低功耗启停管理； ✅ 工业与消费类电子中的逻辑缓冲/反相驱动：如 I/O 扩展、按键扫描、传感器信号预处理等； ✅ 空间受限的便携设备：得益于 SOT363 小尺寸封装（2.1 × 2.0 × 0.9 mm），适用于 TWS 耳机、可穿戴设备、智能电表等紧凑型设计。 其高可靠性（符合 AEC-Q101 可选认证）、宽工作温度范围（−55 °C 至 +150 °C）、低饱和压降（VCE(sat) ≈ 0.15 V @ IC = 10 mA）和快速开关特性（tf/tr < 10 ns），使其特别适合对尺寸、功耗与鲁棒性有要求的中低速数字开关应用。不适用于高频放大或大电流（>100 mA）连续导通场景。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS PREBIAS DUAL PNP 6TSSOP |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | PUMB9,125 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 100mV @ 250µA， 5mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 100 @ 5mA，5V |
| 供应商器件封装 | 6-TSSOP |
| 其它名称 | 934057506125 |
| 功率-最大值 | 300mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 晶体管类型 | 2 个 PNP 预偏压式（双） |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 1µA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 47k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 10k |
| 频率-跃迁 | 180MHz |
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