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Datasheet下载- 型号： SI4435DDY-T1-GE3
- 制造商： Vishay
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SI4435DDY-T1-GE3产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SI4435DDY-T1-GE3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI4435DDY-T1-GE3价格参考￥2.20-￥2.20。VishaySI4435DDY-T1-GE3封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， P-Channel 30V 11.4A (Tc) 2.5W (Ta), 5W (Tc) Surface Mount 8-SO。您可以下载SI4435DDY-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SI4435DDY-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix的SI4435DDY-T1-GE3是一款P沟道增强型MOSFET，属于晶体管中的FET（场效应晶体管）类别。该器件采用先进的沟槽技术制造，具有低导通电阻（RDS(on)）、高效率和良好的热性能，适用于多种电源管理与开关应用。 典型应用场景包括：便携式电子设备（如智能手机、平板电脑、笔记本电脑）中的电源开关和负载管理；电池供电系统中的反向极性保护和电池切换控制；DC-DC转换器中的同步整流或高端/低端开关；以及各类消费类电子产品中的电机驱动和LED照明调光电路。 由于其SOT-23封装小型化设计，SI4435DDY-T1-GE3特别适合空间受限的高密度PCB布局，同时具备良好的开关速度和较低的栅极电荷，有助于提升系统能效并降低功耗。此外，该器件符合RoHS环保标准，支持无铅焊接工艺，广泛应用于工业控制、通信模块及家电控制板等对可靠性要求较高的场合。 综上，SI4435DDY-T1-GE3凭借其高性能与小尺寸，在中低功率开关和电源管理领域具有广泛应用价值。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET P-CH 30V 11.4A 8-SOICMOSFET 30V 11.4A 5.0W 24mohm @ 10V |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 8.1 A |
| Id-连续漏极电流 | 8.1 A |
| 品牌 | Vishay / SiliconixVishay Siliconix |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SI4435DDY-T1-GE3TrenchFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | SI4435DDY-T1-GE3SI4435DDY-T1-GE3 |
| Pd-PowerDissipation | 2.5 W |
| Pd-功率耗散 | 2.5 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 24 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 24 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 30 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 8 ns, 35 ns |
| 下降时间 | 12 ns, 16 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1350pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 50nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 24 毫欧 @ 9.1A，10V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 8-SO |
| 其它名称 | SI4435DDY-T1-GE3DKR |
| 典型关闭延迟时间 | 45 ns, 40 ns |
| 功率-最大值 | 5W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 封装/箱体 | SOIC-8 Narrow |
| 工厂包装数量 | 2500 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 11.4A （Tc） |
| 系列 | SI4435DDY |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 零件号别名 | SI4435DDY-GE3 |
