Datasheet下载- 型号： SI3410DV-T1-E3
- 制造商： Vishay
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SI3410DV-T1-E3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI3410DV-T1-E3价格参考。VishaySI3410DV-T1-E3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载SI3410DV-T1-E3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SI3410DV-T1-E3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SI3410DV-T1-E3 是一款 N 沟道增强型 MOSFET，具有低导通电阻（Rds(on)）和高开关速度的特点，适用于多种电源管理及信号切换应用场景。以下是该型号的主要应用场景： 1. 电源管理 - DC-DC转换器：SI3410DV-T1-E3 可用于降压或升压 DC-DC 转换器中的开关元件，其低 Rds(on) 能够减少功率损耗，提高转换效率。 - 负载开关：在便携式设备中，用作负载开关以实现快速开启/关闭功能，同时降低功耗。 - 电池保护电路：用于锂电池或其他可充电电池的保护电路中，防止过流、短路或反向电流。 2. 电机驱动 - 小型电机控制：适用于低电压、小功率电机的驱动电路，例如风扇、振动马达等。 - H桥电路：作为 H 桥的一部分，用于双向电机控制。 3. 信号切换 - 音频信号切换：在音频设备中用于信号路径切换，确保低失真和低噪声。 - 数据线切换：在 USB 或其他高速数据接口中，用作信号切换开关。 4. 消费电子 - 智能手机和平板电脑：用于内部电源分配和管理，如摄像头模块供电、屏幕背光控制等。 - 笔记本电脑和外设：在电源适配器、USB 充电端口保护等方面发挥重要作用。 5. 工业应用 - 传感器接口：用于工业传感器的电源管理和信号切换。 - LED驱动：在 LED 照明系统中，用作恒流源或调光控制开关。 特性优势 - 低导通电阻：典型值为 7.5mΩ（Vgs=10V），有助于降低传导损耗。 - 高开关速度：适合高频开关应用，减少开关损耗。 - 小型封装：采用 DPAK 封装，节省 PCB 空间，适合紧凑型设计。 综上所述，SI3410DV-T1-E3 广泛应用于需要高效电源管理、快速开关和低功耗的场景，尤其适合消费电子、通信设备和工业控制系统等领域。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 8A 6-TSOP |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Vishay Siliconix |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | SI3410DV-T1-E3 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | TrenchFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1295pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 33nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 19.5 毫欧 @ 5A，10V |
| 供应商器件封装 | 6-TSOP |
| 功率-最大值 | 4.1W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 6-TSOP（0.065"，1.65mm 宽） |
| 标准包装 | 3,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 8A （Tc） |
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