Datasheet下载- 型号： STB9NK80Z
- 制造商： STMicroelectronics
- 库位|库存： xxxx|xxxx
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供STB9NK80Z由STMicroelectronics设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STB9NK80Z价格参考。STMicroelectronicsSTB9NK80Z封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载STB9NK80Z参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有STB9NK80Z 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
STMicroelectronics（意法半导体）的STB9NK80Z是一款高电压功率MOSFET，属于晶体管中的FET类别。该器件为单N沟道增强型MOSFET，具有高耐压、低导通电阻和良好热性能的特点。 应用场景： 1. 电源转换设备：适用于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器等，用于高效能电能转换。 2. 电机驱动：可用于工业自动化设备或电动工具中的电机控制电路中。 3. 照明系统：如LED驱动电源，提供稳定电流控制。 4. 家电控制：例如变频空调、洗衣机等家用电器中的功率控制部分。 5. 电池管理系统：在储能系统或电动车充电模块中作为开关元件使用。 该MOSFET因其800V高漏源击穿电压（VDS）和较强的电流承载能力，在中高功率应用中表现出色，适合需要高可靠性和高效率的工业与消费类电子产品。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 800V D2PAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | STMicroelectronics |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | STB9NK80Z |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | SuperMESH™ |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4.5V @ 100µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1138pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 40nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 1.8 欧姆 @ 2.6A，10V |
| 供应商器件封装 | D2PAK |
| 其它名称 | 497-13936-1 |
| 功率-最大值 | 125W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 800V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 5.2A （Tc） |
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