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  • 型号: MMBTA42LT1G
  • 制造商: ON Semiconductor
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MMBTA42LT1G产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供MMBTA42LT1G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MMBTA42LT1G价格参考¥0.08-¥0.11。ON SemiconductorMMBTA42LT1G封装/规格:晶体管 - 双极 (BJT) - 单, Bipolar (BJT) Transistor NPN 300V 500mA 50MHz 225mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)。您可以下载MMBTA42LT1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MMBTA42LT1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

ON Semiconductor(安森美)的MMBTA42LT1G是一款NPN型双极结型晶体管(BJT),属于高压达林顿结构,最大耐压可达300V,适用于高电压开关应用。该器件采用SOT-23小型表面贴装封装,适合空间受限的电路设计。

主要应用场景包括:  
1. 高压开关电路:由于其高达300V的集电极-发射极击穿电压,常用于驱动继电器、LED灯串、小型电机等需要较高工作电压的负载。  
2. 电源管理:在开关电源(SMPS)、DC-DC转换器中作为控制开关或保护电路中的传感放大元件。  
3. 工业控制:用于PLC模块、传感器信号放大与隔离、固态继电器(SSR)等工业自动化设备中。  
4. 消费电子:应用于电视、显示器的扫描电路、背光控制及电源启停控制。  
5. 照明系统:在LED照明驱动电路中作为通断控制或调光开关使用。  

MMBTA42LT1G具有良好的电流增益和开关特性,同时具备高可靠性和稳定性,适合在恶劣环境或长期运行条件下使用。其“G”后缀表示符合RoHS环保标准,适用于现代绿色电子产品设计。由于其高压特性和小封装,特别适合需要节省PCB空间且工作电压较高的便携式或紧凑型设备。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

TRANS SS NPN 300V HV SOT23两极晶体管 - BJT 500mA 300V NPN

产品分类

晶体管(BJT) - 单路分离式半导体

品牌

ON Semiconductor

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,两极晶体管 - BJT,ON Semiconductor MMBTA42LT1G-

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产品型号

MMBTA42LT1G

PCN设计/规格

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不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值)

500mV @ 2mA,20mA

不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值)

40 @ 30mA,10V

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产品种类

两极晶体管 - BJT

供应商器件封装

SOT-23-3(TO-236)

其它名称

MMBTA42LT1GOSDKR

功率-最大值

225mW

包装

Digi-Reel®

发射极-基极电压VEBO

6 V

商标

ON Semiconductor

增益带宽产品fT

50 MHz

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

封装/箱体

SOT-23-3

工厂包装数量

3000

晶体管极性

NPN

晶体管类型

NPN

最大功率耗散

225 mW

最大工作温度

+ 150 C

最大直流电集电极电流

0.5 A

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1

电压-集射极击穿(最大值)

300V

电流-集电极(Ic)(最大值)

500mA

电流-集电极截止(最大值)

-

直流集电极/BaseGainhfeMin

25

系列

MMBTA42L

配置

Single

集电极—发射极最大电压VCEO

300 V

集电极—基极电压VCBO

300 V

集电极—射极饱和电压

0.5 V

集电极连续电流

0.5 A

频率-跃迁

50MHz

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