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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供KSD261CGTA由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 KSD261CGTA价格参考。Fairchild SemiconductorKSD261CGTA封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载KSD261CGTA参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有KSD261CGTA 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
KSD261CGTA 是由 ON Semiconductor(安森美半导体)生产的一款双极型晶体管(BJT),属于单晶体管类别。该型号的应用场景主要包括以下方面: 1. 开关电路:KSD261CGTA 可用于设计高效的开关电路,例如在电源管理模块中控制负载的通断。其低饱和电压和高增益特性使其适合用于需要快速响应和低功耗的开关应用。 2. 信号放大:作为一款 BJT 晶体管,KSD261CGTA 具备良好的电流放大能力,适用于音频信号放大、传感器信号增强等场景。它能够将微弱的输入信号放大到所需的输出水平。 3. 驱动电路:该型号可以用来驱动小型电机、LED 或继电器等设备。通过提供足够的电流和电压支持,KSD261CGTA 能够确保这些负载正常工作。 4. 线性调节器:在一些简单的线性稳压电路中,KSD261CGTA 可以用作调整管,帮助维持输出电压的稳定性。它的耐压能力和散热性能使其能够在一定范围内可靠运行。 5. 保护电路:利用 KSD261CGTA 的过流保护特性,可以设计出保护电路,防止因过载或短路导致的系统损坏。 6. 通信设备:在无线通信和有线通信领域,KSD261CGTA 可用于射频前端模块中的信号处理和功率放大。 总之,KSD261CGTA 凭借其优异的电气特性和可靠性,广泛应用于消费电子、工业控制、汽车电子以及通信设备等领域,满足多种复杂环境下的需求。具体使用时需根据实际参数(如集电极-发射极电压、最大电流等)选择合适的外围元件进行匹配设计。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
描述 | TRANSISTOR NPN 20V 500MA TO-92两极晶体管 - BJT NPN Epitaxial Transistor |
产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
品牌 | Fairchild Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,Fairchild Semiconductor KSD261CGTA- |
数据手册 | |
产品型号 | KSD261CGTA |
PCN设计/规格 | |
不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 400mV @ 50mA,500mA |
不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 200 @ 100mA,1V |
产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
供应商器件封装 | TO-92-3 |
其它名称 | KSD261CGTACT |
功率-最大值 | 500mW |
包装 | 剪切带 (CT) |
单位重量 | 240 mg |
发射极-基极电压VEBO | 5 V |
商标 | Fairchild Semiconductor |
安装类型 | 通孔 |
安装风格 | Through Hole |
封装 | Ammo Pack |
封装/外壳 | TO-226-3、TO-92-3(TO-226AA)成形引线 |
封装/箱体 | TO-92-3 Kinked Lead |
工厂包装数量 | 2000 |
晶体管极性 | NPN |
晶体管类型 | NPN |
最大功率耗散 | 0.5 W |
最大工作温度 | + 150 C |
最大直流电集电极电流 | 0.5 A |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 1 |
电压-集射极击穿(最大值) | 20V |
电流-集电极(Ic)(最大值) | 500mA |
电流-集电极截止(最大值) | - |
直流电流增益hFE最大值 | 400 |
直流集电极/BaseGainhfeMin | 120 |
系列 | KSD261 |
配置 | Single |
集电极—发射极最大电压VCEO | 20 V |
集电极—基极电压VCBO | 40 V |
集电极—射极饱和电压 | 0.18 V |
零件号别名 | KSD261CGTA_NL |
频率-跃迁 | - |