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NSS12500UW3T2G产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供NSS12500UW3T2G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NSS12500UW3T2G价格参考。ON SemiconductorNSS12500UW3T2G封装/规格:晶体管 - 双极 (BJT) - 单, 双极 (BJT) 晶体管 PNP 12V 5A 100MHz 875mW 表面贴装 3-WDFN(2x2)。您可以下载NSS12500UW3T2G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有NSS12500UW3T2G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
型号为 NSS12500UW3T2G 的晶体管属于 ON Semiconductor(安森美半导体) 生产的 双极型晶体管(BJT),其应用场景主要包括以下几个方面: 1. 电源管理与开关电路:该晶体管适用于中低功率的开关应用,常用于DC-DC转换器、负载开关和电源管理系统中。 2. 马达驱动电路:由于具备较高的电流承载能力,NSS12500UW3T2G 可用于小型电机或继电器的控制电路中,实现高效的开关控制。 3. LED照明驱动:在LED背光或照明系统中,该器件可用于恒流源驱动电路,提供稳定的工作电流。 4. 汽车电子系统:作为车规级器件,NSS12500UW3T2G 广泛应用于汽车中的各类电子模块,如车身控制模块(BCM)、车载充电系统等。 5. 工业自动化控制:适用于工业设备中的信号放大、继电器驱动及传感器接口电路。 该晶体管采用 T3 PowerFrame™ 封装,具有良好的热性能和空间效率,适合高密度PCB布局。其设计兼顾高效能与可靠性,特别适用于对尺寸和功耗有要求的应用场景。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
描述 | TRANSISTOR PNP 8A 12V 3-WDFN两极晶体管 - BJT 2 2 LOW VCE(SAT) TR |
产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
品牌 | ON Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,ON Semiconductor NSS12500UW3T2G- |
数据手册 | |
产品型号 | NSS12500UW3T2G |
PCN设计/规格 | |
不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 260mV @ 400mA,4A |
不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 200 @ 2A,2V |
产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=18613 |
产品目录页面 | |
产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
供应商器件封装 | 3-WDFN(2x2) |
其它名称 | NSS12500UW3T2GOSCT |
功率-最大值 | 875mW |
包装 | 剪切带 (CT) |
发射极-基极电压VEBO | 7 V |
商标 | ON Semiconductor |
增益带宽产品fT | 100 MHz |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | 3-WDFN 裸露焊盘 |
封装/箱体 | WDFN-3 |
工厂包装数量 | 3000 |
晶体管极性 | PNP |
晶体管类型 | PNP |
最大功率耗散 | 875 mW |
最大工作温度 | + 150 C |
最大直流电集电极电流 | 5 A |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 1 |
电压-集射极击穿(最大值) | 12V |
电流-集电极(Ic)(最大值) | 5A |
电流-集电极截止(最大值) | - |
直流集电极/BaseGainhfeMin | 250 |
系列 | NSS12500UW3 |
配置 | Single |
集电极—发射极最大电压VCEO | - 12 V |
集电极—基极电压VCBO | - 12 V |
集电极—射极饱和电压 | - 200 mV |
集电极连续电流 | - 5 A |
频率-跃迁 | 100MHz |