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  • 型号: NSS12500UW3T2G
  • 制造商: ON Semiconductor
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
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NSS12500UW3T2G产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供NSS12500UW3T2G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NSS12500UW3T2G价格参考。ON SemiconductorNSS12500UW3T2G封装/规格:晶体管 - 双极 (BJT) - 单, 双极 (BJT) 晶体管 PNP 12V 5A 100MHz 875mW 表面贴装 3-WDFN(2x2)。您可以下载NSS12500UW3T2G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有NSS12500UW3T2G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

型号为 NSS12500UW3T2G 的晶体管属于 ON Semiconductor(安森美半导体) 生产的 双极型晶体管(BJT),其应用场景主要包括以下几个方面:

1. 电源管理与开关电路:该晶体管适用于中低功率的开关应用,常用于DC-DC转换器、负载开关和电源管理系统中。

2. 马达驱动电路:由于具备较高的电流承载能力,NSS12500UW3T2G 可用于小型电机或继电器的控制电路中,实现高效的开关控制。

3. LED照明驱动:在LED背光或照明系统中,该器件可用于恒流源驱动电路,提供稳定的工作电流。

4. 汽车电子系统:作为车规级器件,NSS12500UW3T2G 广泛应用于汽车中的各类电子模块,如车身控制模块(BCM)、车载充电系统等。

5. 工业自动化控制:适用于工业设备中的信号放大、继电器驱动及传感器接口电路。

该晶体管采用 T3 PowerFrame™ 封装,具有良好的热性能和空间效率,适合高密度PCB布局。其设计兼顾高效能与可靠性,特别适用于对尺寸和功耗有要求的应用场景。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

TRANSISTOR PNP 8A 12V 3-WDFN两极晶体管 - BJT 2 2 LOW VCE(SAT) TR

产品分类

晶体管(BJT) - 单路分离式半导体

品牌

ON Semiconductor

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,两极晶体管 - BJT,ON Semiconductor NSS12500UW3T2G-

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产品型号

NSS12500UW3T2G

PCN设计/规格

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不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值)

260mV @ 400mA,4A

不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值)

200 @ 2A,2V

产品培训模块

http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=18613

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产品种类

两极晶体管 - BJT

供应商器件封装

3-WDFN(2x2)

其它名称

NSS12500UW3T2GOSCT

功率-最大值

875mW

包装

剪切带 (CT)

发射极-基极电压VEBO

7 V

商标

ON Semiconductor

增益带宽产品fT

100 MHz

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

3-WDFN 裸露焊盘

封装/箱体

WDFN-3

工厂包装数量

3000

晶体管极性

PNP

晶体管类型

PNP

最大功率耗散

875 mW

最大工作温度

+ 150 C

最大直流电集电极电流

5 A

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1

电压-集射极击穿(最大值)

12V

电流-集电极(Ic)(最大值)

5A

电流-集电极截止(最大值)

-

直流集电极/BaseGainhfeMin

250

系列

NSS12500UW3

配置

Single

集电极—发射极最大电压VCEO

- 12 V

集电极—基极电压VCBO

- 12 V

集电极—射极饱和电压

- 200 mV

集电极连续电流

- 5 A

频率-跃迁

100MHz

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