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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供ESM2030DV由STMicroelectronics设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 ESM2030DV价格参考。STMicroelectronicsESM2030DV封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载ESM2030DV参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有ESM2030DV 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
型号为ESM2030DV的晶体管属于意法半导体(STMicroelectronics)生产的双极型晶体管(BJT),常用于各类电子电路中。该晶体管主要适用于需要高频率响应和良好稳定性的场景,典型应用包括: 1. 射频(RF)放大电路:ESM2030DV具备良好的高频特性,适合用于射频信号放大,如无线通信设备中的前置放大器。 2. 低噪声放大器:由于其低噪声系数特性,常用于接收端信号的初级放大,提升信号质量。 3. 开关电路:可作为高速开关元件,适用于数字电路或脉冲电路中。 4. 振荡器与混频器:在通信系统中,该晶体管可用于构建高频振荡器或混频电路。 5. 便携式电子设备:该器件体积小、功耗低,适合用于移动电话、无线模块、传感器等便携设备中。 6. 汽车电子:因STMicroelectronics产品常符合汽车级标准,该型号也可用于车载通信或控制系统中。 总之,ESM2030DV广泛应用于通信、消费电子、工业控制等领域,尤其适合高频和低噪声要求较高的电路设计。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | IC PWR MODULE DARL NPN ISOTOP |
| 产品分类 | 晶体管 - 模块 |
| 品牌 | STMicroelectronics |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | ESM2030DV |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 1.5V @ 1.6A,56A |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 300 @ 56A,5V |
| 供应商器件封装 | ISOTOP® |
| 其它名称 | 497-7232-5 |
| 功率-最大值 | 150W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 底座安装 |
| 封装/外壳 | ISOTOP |
| 晶体管类型 | NPN - 达林顿 |
| 标准包装 | 10 |
| 电压-集射极击穿(最大值) | 300V |
| 电流-集电极(Ic)(最大值) | 67A |
| 电流-集电极截止(最大值) | - |
| 频率-跃迁 | - |