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Datasheet下载- 型号： 2SK3065T100
- 制造商： ROHM Semiconductor
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供2SK3065T100由ROHM Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 2SK3065T100价格参考。ROHM Semiconductor2SK3065T100封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 N 沟道 60V 2A（Ta） 500mW（Ta） MPT3。您可以下载2SK3065T100参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有2SK3065T100 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
2SK3065T100是由Rohm Semiconductor制造的单个N沟道MOSFET（金属氧化物场效应晶体管），属于功率MOSFET类别。这种类型的晶体管在许多应用中表现出色，尤其适合需要高效开关和低导通电阻的场合。 应用场景： 1. 电源管理： - 2SK3065T100广泛应用于各种电源管理系统中，如开关模式电源（SMPS）、DC-DC转换器、AC-DC转换器等。其低导通电阻（Rds(on)）特性使得它在高电流条件下也能保持较低的功耗，提高整体效率。 2. 电机驱动： - 在电机控制领域，该MOSFET可以用于驱动直流电机、步进电机或无刷直流电机。它的快速开关特性和低损耗有助于实现高效的电机控制，适用于工业自动化设备、家用电器以及电动工具等。 3. 逆变器与变频器： - 逆变器和变频器是将直流电转换为交流电或将固定频率的交流电转换为可变频率的交流电的关键设备。2SK3065T100能够承受较高的电压和电流，适合用于这些设备中的功率级电路，确保稳定可靠的电力传输。 4. 电池管理系统（BMS）： - 在电池管理系统中，MOSFET用于保护电池免受过充、过放、短路等异常情况的影响。2SK3065T100的高可靠性和低损耗特性使其成为理想的选择，特别是在电动汽车、储能系统等领域。 5. 负载切换与保护电路： - 该MOSFET可用于设计负载切换电路和保护电路，例如在服务器电源、通信基站等关键设备中提供瞬态保护和过流保护。其快速响应时间和低热阻特性有助于提高系统的安全性和可靠性。 6. 音频放大器： - 在一些高性能音频放大器中，MOSFET可以用作输出级元件，以实现线性放大并减少失真。2SK3065T100的大电流处理能力和良好的热性能使其在这一领域也具有应用潜力。 总之，2SK3065T100凭借其出色的电气特性，在多个行业中都有广泛的应用前景，特别是在需要高效能、高可靠性的功率管理场合。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 60V 2A SOT-89MOSFET N-CH 60V 2A |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平栅极，2.5V 驱动 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 2 A |
| Id-连续漏极电流 | 2 A |
| 品牌 | Rohm Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,ROHM Semiconductor 2SK3065T100- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | 2SK3065T100 |
| Pd-PowerDissipation | 2 W |
| Pd-功率耗散 | 2 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 350 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 350 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 60 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 60 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | +/- 20 V |
| 上升时间 | 50 ns |
| 下降时间 | 70 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1.5V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 160pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | - |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 320 毫欧 @ 1A，4V |
| 产品目录绘图 |
|
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFETs |
| 供应商器件封装 | MPT3 |
| 其它名称 | 2SK3065T100CT |
| 典型关闭延迟时间 | 120 ns |
| 功率-最大值 | 500mW |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 商标 | ROHM Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-243AA |
| 封装/箱体 | MPT-3 |
| 工厂包装数量 | 1000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 60V |
| 特色产品 | http://www.digikey.com/cn/zh/ph/ROHM/MOSFET_ECOMOS.html |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 2A（Ta） |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
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