Datasheet下载- 型号： BUB323ZT4
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BUB323ZT4由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BUB323ZT4价格参考。ON SemiconductorBUB323ZT4封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载BUB323ZT4参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BUB323ZT4 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
BUB323ZT4是安森美半导体（ON Semiconductor）生产的一款NPN型双极结型晶体管（BJT），主要用于高功率开关应用。该晶体管具有较高的集电极-发射极击穿电压（最高可达140V），并能承受较大的集电极电流，具备良好的热稳定性和可靠性。 主要应用场景包括： 1. 电源开关电路：适用于DC-DC转换器、开关电源（SMPS）等，作为高频开关元件使用。 2. 电机驱动电路：用于电动工具、电动车、工业自动化设备中的电机控制模块。 3. 照明系统：如汽车前灯、高强度放电灯（HID）和LED照明的驱动电路。 4. 逆变器与变频器：用于家电（如空调）或工业设备中的功率变换系统。 5. 汽车电子：作为汽车电子控制系统中的功率开关，如燃油喷射系统、电动泵控制等。 由于其高耐压、大电流能力和良好的热性能，BUB323ZT4在需要高可靠性和高效率的功率电子系统中具有广泛应用。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS NPN DARL 10A 350V D2PAK |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | BUB323ZT4 |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 1.7V @ 250mA，10A |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 500 @ 5A，4.6V |
| 供应商器件封装 | D2PAK |
| 其它名称 | BUB323ZT4OS |
| 功率-最大值 | 150W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 晶体管类型 | NPN - 达林顿 |
| 标准包装 | 800 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 350V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 10A |
| 电流-集电极截止（最大值） | 100µA |
| 频率-跃迁 | 2MHz |
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