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Datasheet下载- 型号： SI6926ADQ-T1-GE3
- 制造商： Vishay
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SI6926ADQ-T1-GE3产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SI6926ADQ-T1-GE3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI6926ADQ-T1-GE3价格参考。VishaySI6926ADQ-T1-GE3封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列， 2 个 N 沟道（双） Mosfet 阵列 20V 4.1A 830mW 表面贴装 8-TSSOP。您可以下载SI6926ADQ-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SI6926ADQ-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SI6926ADQ-T1-GE3 是一款双通道 N 沟道 MOSFET 阵列，广泛应用于需要高效开关和低导通电阻的场景。以下是该型号的主要应用场景： 1. 电源管理 SI6926ADQ-T1-GE3 在电源管理系统中表现出色，特别适用于降压转换器、升压转换器和其他 DC-DC 转换器。其低导通电阻（Rds(on)）有助于减少功率损耗，提高效率。此外，它还可以用于负载开关，确保电源路径的安全性和稳定性。 2. 电池保护 在电池管理系统中，该器件可以用于电池充放电控制。通过精确控制电流流动，它可以防止过充、过放和短路等异常情况，从而延长电池寿命并提高安全性。 3. 电机驱动 对于小型电机驱动应用，如无人机、机器人和消费电子产品中的电机控制，SI6926ADQ-T1-GE3 可以提供高效的开关性能。其快速开关速度和低导通电阻有助于提高电机响应速度和能效。 4. 信号切换 在通信设备和测试仪器中，该器件可用于信号路径的切换。其低寄生电容和快速开关特性使其成为高速信号切换的理想选择，能够有效减少信号失真和延迟。 5. 汽车电子 在汽车电子领域，SI6926ADQ-T1-GE3 可用于车身控制模块（BCM）、电动助力转向系统（EPS）和电动窗控制器等应用。其符合 AEC-Q101 标准，确保了在严苛环境下的可靠性和稳定性。 6. 工业自动化 在工业控制系统中，该器件可以用于各种执行器和传感器接口。其坚固的设计和宽工作温度范围（-55°C 至 +175°C）使其能够在恶劣环境下长期稳定运行。 总之，SI6926ADQ-T1-GE3 凭借其优异的电气性能和可靠性，适用于多种高性能应用场合，尤其在需要高效开关和低功耗的场景中表现突出。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET 2N-CH 20V 4.1A 8-TSSOPMOSFET Dual N-Ch MOSFET 20V 30mohm @ 4.5V |
| 产品分类 | FET - 阵列分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | 2 个 N 沟道（双） |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 4.1 A |
| Id-连续漏极电流 | 4.1 A |
| 品牌 | Vishay / SiliconixVishay Siliconix |
| 产品手册 | http://www.vishay.com/search?query=SI6926ADQ-T1-GE3 |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SI6926ADQ-T1-GE3- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | SI6926ADQ-T1-GE3SI6926ADQ-T1-GE3 |
| Pd-PowerDissipation | 830 mW |
| Pd-功率耗散 | 830 mW |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 30 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 30 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 20 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 8 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 8 V |
| 上升时间 | 16 ns |
| 下降时间 | 16 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | - |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 10.5nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 30 毫欧 @ 4.5A，4.5V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 8-TSSOP |
| 其它名称 | SI6926ADQ-T1-GE3CT |
| 典型关闭延迟时间 | 46 ns |
| 功率-最大值 | 830mW |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽） |
| 封装/箱体 | TSSOP-8 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 4.1A |
| 系列 | SI6926ADQ |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Dual |
| 零件号别名 | SI6926ADQ-GE3 |
