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Datasheet下载- 型号： FDS6990AS
- 制造商： Fairchild Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FDS6990AS由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDS6990AS价格参考￥4.88-￥9.21。Fairchild SemiconductorFDS6990AS封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列， 2 个 N 沟道（双） Mosfet 阵列 30V 7.5A 900mW 表面贴装 8-SO。您可以下载FDS6990AS参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FDS6990AS 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FDS6990AS是安森美（ON Semiconductor）生产的一款MOSFET阵列器件，属于N沟道增强型功率MOSFET，采用SO-8封装。该器件内部集成了两个独立的MOSFET，具有低导通电阻（RDS(on)）、高开关速度和优良的热稳定性，适用于需要高效能功率切换的应用场景。 FDS6990AS广泛应用于便携式电子设备中的电源管理与负载开关控制，如智能手机、平板电脑和笔记本电脑中的电池电源切换、DC-DC转换电路以及电压调节模块（VRM）。其低导通电阻有助于减少导通损耗，提高系统效率，特别适合对功耗敏感的移动设备。 此外，该器件也常用于同步整流电路、电机驱动、LED驱动电源及各类小型开关电源（SMPS）中，作为高效开关元件使用。由于其具备良好的抗瞬态能力与静电保护特性，FDS6990AS在工业控制、消费类电子产品和通信设备中也有广泛应用。 综上所述，FDS6990AS凭借其高性能、小尺寸和高可靠性，主要应用于对空间和能效要求较高的中低功率电源管理系统中。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET NCH DUAL 30V 7.5A 8SOICMOSFET 30V DUAL N-CH. FET 18 MO SO8 |
| 产品分类 | FET - 阵列分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | 2 个 N 沟道（双） |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 7.5 A |
| Id-连续漏极电流 | 7.5 A |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDS6990ASPowerTrench®， SyncFET™ |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | FDS6990AS |
| PCN设计/规格 | |
| Pd-PowerDissipation | 2 W |
| Pd-功率耗散 | 2 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 17 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 17 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 5 ns, 8 ns |
| 下降时间 | 5 ns, 8 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 550pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 14nC @ 5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 22 毫欧 @ 7.5A，10V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 8-SOIC N |
| 其它名称 | FDS6990AS-ND |
| 典型关闭延迟时间 | 24 ns, 14 ns |
| 功率-最大值 | 900mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 单位重量 | 187 mg |
| 商标 | Fairchild Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 封装/箱体 | SO-8 |
| 工厂包装数量 | 2500 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 2,500 |
| 正向跨导-最小值 | 29 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 7.5A |
| 系列 | FDS6990 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Dual Dual Drain |
| 零件号别名 | FDS6990AS_NL |
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