ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 射频 > MRF6S9130HR5
Datasheet下载- 型号： MRF6S9130HR5
- 制造商： Freescale Semiconductor
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MRF6S9130HR5由Freescale Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MRF6S9130HR5价格参考。Freescale SemiconductorMRF6S9130HR5封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 射频， 射频 Mosfet LDMOS 28V 950mA 880MHz 19.2dB 27W NI-780。您可以下载MRF6S9130HR5参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MRF6S9130HR5 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MRF6S9130HR5 是 NXP Semiconductors 推出的一款高性能射频（RF）LDMOS 功率晶体管，专为 900 MHz 频段设计（典型工作频率：869–960 MHz），适用于高效率、高线性度的无线通信基站发射系统。其主要应用场景包括： - 蜂窝通信基站：广泛用于 GSM、EDGE、UMTS 和 LTE 的宏基站及分布式基站（BBU+RRU 架构）中的末级功率放大器（PA），支持多载波信号和高峰均比（PAPR）调制方式。 - 工业与广播设备：适用于900 MHz ISM频段的无线中继、公共安全通信（如TETRA）、数字地面广播（DTMB）激励器等需稳定大功率输出的场景。 - 高可靠性通信系统：凭借其高增益（典型17 dB）、高输出功率（130 W连续波或脉冲模式）及优异热稳定性（采用陶瓷封装、高可靠性金属化结构），适用于严苛环境下的长期连续运行。 该器件支持50 V供电，具备良好的输入/输出匹配特性，简化外围电路设计；内置ESD保护，符合RoHS标准，适配主流PCB组装工艺。典型应用电路常配合NXP推荐的匹配网络与驱动级（如MRF6P20140HR5等）构成完整射频功放链路。 注：MRF6S9130HR5 已进入NXP产品生命周期管理的“Not Recommended for New Designs（NRND）”阶段，新设计建议评估其升级替代型号（如MRF6S9130NHSR5或AFM900系列），但现有设备维护与产线延续仍广泛使用该型号。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET RF N-CHAN 28V 27W NI-780 |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | Freescale Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | MRF6S9130HR5 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | NI-780 |
| 功率-输出 | 27W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 19.2dB |
| 封装/外壳 | NI-780 |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 标准包装 | 50 |
| 电压-测试 | 28V |
| 电压-额定 | 68V |
| 电流-测试 | 950mA |
| 频率 | 880MHz |
| 额定电流 | 10µA |
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