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SP8M51TB1产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供SP8M51TB1由ROHM Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SP8M51TB1价格参考。ROHM SemiconductorSP8M51TB1封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列, N 和 P 沟道 Mosfet 阵列 100V 3A,2.5A 2W 表面贴装 8-SOP。您可以下载SP8M51TB1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有SP8M51TB1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
SP8M51TB1是日本罗姆(Rohm Semiconductor)公司生产的一款MOSFET阵列产品,适用于需要高效功率控制和小型化设计的多种电子设备。该器件常用于以下应用场景: 1. 电源管理:如DC-DC转换器、电源开关和负载开关,适用于笔记本电脑、平板电脑、智能手机等便携设备中的高效电源管理系统。 2. 电机驱动:适用于小型电机、步进电机或直流电机的驱动电路,常见于打印机、扫描仪、家用电器及自动化设备中。 3. LED背光与照明控制:用于LED背光驱动或智能照明系统中的开关控制,具备快速响应和低导通电阻特性,有助于提高能效。 4. 工业控制设备:如PLC(可编程逻辑控制器)、传感器模块和继电器替代方案,实现高可靠性和小型化设计。 5. 汽车电子:适用于车载信息娱乐系统、车灯控制模块及电池管理系统等场景,满足车载环境对稳定性和可靠性的要求。 SP8M51TB1采用小型封装,集成多个MOSFET单元,具有低导通电阻、高耐压和良好热性能的特点,适合高密度电路设计和高效能需求的应用场合。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | MOSFET N/P-CH 100V 3A/2.5A SOP8MOSFET Nch+Pch 100V/-100V 3A/-2.5A; MOSFET |
| 产品分类 | FET - 阵列分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | N 和 P 沟道 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 3 A |
| Id-连续漏极电流 | 3 A, - 2.5 A |
| 品牌 | ROHM Semiconductor |
| 产品手册 | http://www.rohm.com/products/discrete/transistor/complex_mos-mos/sp8m51/print.html |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,ROHM Semiconductor SP8M51TB1- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | SP8M51TB1 |
| Pd-PowerDissipation | 2 W |
| Pd-功率耗散 | 2 W |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 100 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 100 V, - 100 V |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | - |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | - |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | - |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | - |
| 产品目录绘图 |
|
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 8-SOP |
| 其它名称 | SP8M51TB1DKR |
| 功率-最大值 | 2W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | ROHM Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
| 封装/箱体 | SOP-8 |
| 工厂包装数量 | 2500 |
| 晶体管极性 | N and P-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 标准包装 | 1 |
| 汲极/源极击穿电压 | 100 V |
| 漏极连续电流 | 3 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 100V |
| 特色产品 | http://www.digikey.com/cn/zh/ph/ROHM/MOSFET_ECOMOS.html |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 3A,2.5A |