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- 型号： SI4973DY-T1-GE3
- 制造商： Vishay
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SI4973DY-T1-GE3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI4973DY-T1-GE3价格参考。VishaySI4973DY-T1-GE3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载SI4973DY-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SI4973DY-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SI4973DY-T1-GE3 是一款双N沟道和P沟道组合的MOSFET阵列器件，广泛应用于需要高效电源管理和负载开关控制的场合。该器件采用小型封装，具备低导通电阻和高开关速度，适合空间受限但要求高性能的设计。 其主要应用场景包括： 1. 电源管理模块：用于DC-DC转换器、同步整流器等，提升能效，减小系统功耗。 2. 负载开关控制：在电池供电设备中控制电源通断，如智能手机、平板电脑和便携式仪器。 3. 马达驱动与继电器替代：用于小型电机或电磁阀的开关控制，提供更可靠和快速的响应。 4. 通信设备：在基站、路由器或网络设备中实现高效的电源切换与分配。 5. 汽车电子：如车载充电器、车身控制模块等，满足对可靠性和效率的高要求。 综上，SI4973DY-T1-GE3适用于对空间、效率和可靠性有较高要求的电子系统中。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET 2P-CH 30V 5.8A 8SOIC |
| 产品分类 | FET - 阵列 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | 2 个 P 沟道（双） |
| 品牌 | Vishay Siliconix |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | SI4973DY-T1-GE3 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | TrenchFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | - |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 56nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 23 毫欧 @ 7.6A，10V |
| 供应商器件封装 | 8-SO |
| 功率-最大值 | 1.1W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 标准包装 | 2,500 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 5.8A |
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