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- 型号： PHP225,118
- 制造商： NXP Semiconductors
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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PHP225,118产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PHP225,118由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PHP225,118价格参考。NXP SemiconductorsPHP225,118封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列， 2 个 P 沟道（双） Mosfet 阵列 30V 2.3A 2W 表面贴装 8-SO。您可以下载PHP225,118参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PHP225,118 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PHP225,118 是 NXP USA Inc. 推出的一款双通道 N 沟道增强型 MOSFET 阵列（采用 SO-8 封装），具有低导通电阻（RDS(on) ≈ 0.045 Ω @ VGS = 10 V）、逻辑电平驱动（VGS(th) 典型值 1.5 V）及高开关效率等特点。其典型应用场景包括： - DC-DC 电源转换：常用于同步降压（Buck）转换器的下管（low-side switch），配合外部高端驱动或控制器，提升转换效率与功率密度； - 负载开关与电源管理：在便携式设备（如平板、POS 机、工业 HMI）中，用作电池供电路径切换、模块上电/断电控制，支持快速使能与低静态电流； - 电机驱动：适用于小功率直流有刷电机（如风扇、微型泵）的 H 桥低端驱动或单向 PWM 控制； - LED 驱动与背光控制：作为恒流源开关或调光通路，支持高频 PWM 调光（因具备较快的开关速度与低栅极电荷）； - 接口保护与热插拔电路：凭借内置 ESD 保护（HBM ±2 kV）和稳健的雪崩耐量，可用于 USB、I²C 等总线的后级功率开关与过流防护。 该器件工作结温范围为 –55°C 至 +150°C，符合 AEC-Q101（汽车级）标准，亦适用于工业控制、白色家电及车载辅助系统等对可靠性要求较高的场景。需注意其为双独立 MOSFET（非共源共漏结构），设计时应合理布局栅极驱动路径以避免串扰。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | MOSFET 2P-CH 30V 2.3A 8SOIC |
| 产品分类 | FET - 阵列 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | 2 个 P 沟道（双） |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | PHP225,118 |
| PCN封装 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.8V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 250pF @ 20V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 25nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 250 毫欧 @ 1A，10V |
| 供应商器件封装 | 8-SO |
| 其它名称 | 568-9693-1 |
| 功率-最大值 | 2W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 2.3A |
