Datasheet下载- 型号： NTMD4840NR2G
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NTMD4840NR2G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NTMD4840NR2G价格参考。ON SemiconductorNTMD4840NR2G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NTMD4840NR2G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NTMD4840NR2G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NTMD4840NR2G 是由 ON Semiconductor（安森美半导体）生产的一款晶体管，属于 FET、MOSFET 阵列类别。该器件具有以下特点和应用场景： 特点： 1. 低导通电阻：NTMD4840NR2G 提供较低的导通电阻 (Rds(on))，有助于减少功率损耗，提高效率。 2. 小型封装：采用节省空间的封装形式，适合对尺寸要求严格的电路设计。 3. 高电流能力：能够处理较高的电流，适用于需要大负载的应用。 4. 快速开关性能：具备快速开关特性，适合高频应用。 5. 保护功能：内置多种保护机制，如过热关断和过流保护，提升系统可靠性。 应用场景： 1. 电源管理：用于 DC-DC 转换器、电压调节模块（VRM）、负载开关等，实现高效的电源管理。 2. 电机控制：适用于小型电机驱动，例如消费电子设备中的风扇、泵或伺服电机。 3. 电池管理系统（BMS）：用于锂电池保护电路，提供充放电控制和短路保护。 4. 消费电子产品：在智能手机、平板电脑、笔记本电脑等便携式设备中作为开关元件。 5. 通信设备：应用于网络交换机、路由器等设备的信号切换和电源管理部分。 6. 工业自动化：用于工业控制系统中的信号隔离、驱动和保护电路。 7. 汽车电子：在车载电子设备中，如信息娱乐系统、车身控制模块等，提供可靠的开关功能。 总之，NTMD4840NR2G 的高性能和紧凑设计使其成为各种电子设备中关键的功率管理和信号切换组件。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH DUAL 30V 4.5A 8-SOICMOSFET NFET SO8 30V 7.5A 0.034R |
| 产品分类 | FET - 阵列分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | 2 个 N 沟道（双） |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 4.5 A |
| Id-连续漏极电流 | 4.5 A |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,ON Semiconductor NTMD4840NR2G- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | NTMD4840NR2G |
| PCN设计/规格 | |
| Pd-PowerDissipation | 1.95 W |
| Pd-功率耗散 | 1.95 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 28 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 28 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 5 ns |
| 下降时间 | 3 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 520pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 9.5nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 24 毫欧 @ 6.9A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 8-SOIC N |
| 其它名称 | NTMD4840NR2GOSDKR |
| 典型关闭延迟时间 | 17 ns |
| 功率-最大值 | 680mW |
| 功率耗散 | 1.95 W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 28 mOhms |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 封装/箱体 | SOIC-8 |
| 工厂包装数量 | 2500 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 正向跨导-最小值 | 15 S |
| 汲极/源极击穿电压 | 30 V |
| 漏极连续电流 | 4.5 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 4.5A |
| 系列 | NTMD4840N |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Dual |
| 闸/源击穿电压 | +/- 20 V |
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