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产品简介:
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Vishay Siliconix 的 SIZ904DT-T1-GE3 是一款 MOSFET 阵列器件,主要应用于需要高效功率控制和管理的电子系统中。该器件采用双 N 沟道 MOSFET 设计,具有低导通电阻(Rds(on))、高开关速度和优良的热性能,适合用于以下应用场景: 1. 电源管理:如DC-DC转换器、同步整流器等,提高能效并减小电路体积; 2. 负载开关:用于控制电池供电设备中的电源分配,实现低功耗管理; 3. 马达驱动:适用于小型电机或步进电机的驱动电路; 4. LED照明:作为恒流源开关,用于LED背光或照明系统的调光控制; 5. 工业自动化:在PLC模块、传感器接口和继电器替代方案中实现高速开关; 6. 消费类电子产品:如智能手机、平板电脑、笔记本电脑等便携设备中的电源管理模块。 该MOSFET阵列封装小巧,支持表面贴装工艺,适合高密度PCB设计。其优异的性能使其在要求高效率、高频操作和紧凑布局的应用中表现出色。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | MOSFET 2N-CH 30V 12A POWERPAIR |
产品分类 | FET - 阵列 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | 2 个 N 通道(半桥) |
品牌 | Vishay Siliconix |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | SIZ904DT-T1-GE3 |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | TrenchFET® |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2.5V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 435pF @ 15V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 12nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 24 毫欧 @ 7.8A,10V |
供应商器件封装 | 6-PowerPair™ |
其它名称 | SIZ904DT-T1-GE3DKR |
功率-最大值 | 20W, 33W |
包装 | Digi-Reel® |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | 6-PowerPair™ |
标准包装 | 1 |
漏源极电压(Vdss) | 30V |
特色产品 | http://www.digikey.com/product-highlights/cn/zh/vishay-powerpair/2826 |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 12A,16A |