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  • 型号: IRFH7911TRPBF
  • 制造商: International Rectifier
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供IRFH7911TRPBF由International Rectifier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFH7911TRPBF价格参考。International RectifierIRFH7911TRPBF封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IRFH7911TRPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRFH7911TRPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

Ciss-输入电容

1.06 nF, 4.45 nF

描述

MOSFET N-CH 30V DUAL PQFNMOSFET 30V DUAL N-CH HEXFET 8.6mOhms 8.3nC

产品分类

FET - 阵列分离式半导体

FET功能

逻辑电平门

FET类型

2 个 N 沟道(双)

Id-ContinuousDrainCurrent

13 A

Id-连续漏极电流

13 A, 28 A

品牌

International Rectifier

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,International Rectifier IRFH7911TRPBFHEXFET®

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产品型号

IRFH7911TRPBF

PCN组件/产地

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Pd-PowerDissipation

2.4 W

Pd-功率耗散

2.4 W, 3.4 W

Qg-GateCharge

8.3 nC

Qg-栅极电荷

8.3 nC, 34 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

14.5 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

8.6 mOhms, 3 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

30 V

Vds-漏源极击穿电压

30 V, 30 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

Vgsth-栅源极阈值电压

2.35 V

上升时间

15 ns, 35 ns

下降时间

5.9 ns, 14 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

2.35V @ 25µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

1060pF @ 15V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

12nC @ 4.5V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

8.6 毫欧 @ 12A,10V

产品培训模块

http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26240

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

PQFN(5x6)

典型关闭延迟时间

12 ns, 28 ns

功率-最大值

2.4W,3.4W

功率耗散

2.4 W

包装

带卷 (TR)

商标

International Rectifier

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

导通电阻

14.5 mOhms

封装

Reel

封装/外壳

18-PowerVQFN

封装/箱体

PQFN-18 5x6

工厂包装数量

4000

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

栅极电荷Qg

8.3 nC

标准包装

4,000

正向跨导-最小值

17 S, 106 S

汲极/源极击穿电压

30 V

漏极连续电流

13 A

漏源极电压(Vdss)

30V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

13A,28A

配置

Dual

闸/源击穿电压

20 V

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