Datasheet下载- 型号： IRFH7911TRPBF
- 制造商： International Rectifier
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRFH7911TRPBF由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFH7911TRPBF价格参考。International RectifierIRFH7911TRPBF封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IRFH7911TRPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRFH7911TRPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IRFH7911TRPBF 是由 Infineon Technologies（英飞凌科技）生产的一款晶体管 - FET，MOSFET - 阵列。以下是其主要应用场景： 1. 电源管理 - DC-DC转换器：IRFH7911TRPBF 的低导通电阻（Rds(on)）特性使其非常适合用于高效能的 DC-DC 转换电路中，能够减少功率损耗并提高转换效率。 - 开关电源 (SMPS)：该器件可应用于各种开关电源设计，例如适配器、充电器和工业电源，提供稳定的电流输出和快速的开关速度。 2. 电机驱动 - 小型电机控制：适用于消费电子设备中的小型直流电机驱动，例如风扇、泵或家用电器中的电机控制。 - H桥和半桥电路：由于其双 MOSFET 阵列结构，适合构建 H 桥或半桥拓扑，用于双向电机控制。 3. 负载切换 - 负载开关：在便携式设备（如智能手机、平板电脑）中用作负载开关，实现对不同功能模块的动态供电管理。 - 保护电路：可用于过流保护、短路保护等场景，确保系统安全运行。 4. 通信与网络设备 - 信号调节：在通信基站、路由器或其他网络设备中，用于信号路径上的电平转换或阻抗匹配。 - 数据传输优化：通过精确控制电流流动来优化高速数据传输性能。 5. 汽车电子 - 车载信息娱乐系统：支持车内音频、视频播放等功能模块的电源管理。 - 辅助驾驶系统：为传感器、摄像头等组件提供稳定且高效的电力供应。 6. 消费类电子产品 - 笔记本电脑及外设：用于电池管理、USB 接口保护等领域。 - 智能家居设备：如智能灯泡、恒温器等需要低功耗、高效率电源解决方案的产品。 总之，IRFH7911TRPBF 凭借其出色的电气特性和紧凑封装形式，在众多领域中都能发挥重要作用，尤其是在需要高效能、小体积设计的应用场合。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| Ciss-输入电容 | 1.06 nF, 4.45 nF |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V DUAL PQFNMOSFET 30V DUAL N-CH HEXFET 8.6mOhms 8.3nC |
| 产品分类 | FET - 阵列分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | 2 个 N 沟道（双） |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 13 A |
| Id-连续漏极电流 | 13 A, 28 A |
| 品牌 | International Rectifier |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRFH7911TRPBFHEXFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRFH7911TRPBF |
| PCN组件/产地 | |
| Pd-PowerDissipation | 2.4 W |
| Pd-功率耗散 | 2.4 W, 3.4 W |
| Qg-GateCharge | 8.3 nC |
| Qg-栅极电荷 | 8.3 nC, 34 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 14.5 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 8.6 mOhms, 3 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 30 V, 30 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 2.35 V |
| 上升时间 | 15 ns, 35 ns |
| 下降时间 | 5.9 ns, 14 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.35V @ 25µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1060pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 12nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 8.6 毫欧 @ 12A，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26240 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | PQFN（5x6） |
| 典型关闭延迟时间 | 12 ns, 28 ns |
| 功率-最大值 | 2.4W，3.4W |
| 功率耗散 | 2.4 W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 商标 | International Rectifier |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 14.5 mOhms |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 18-PowerVQFN |
| 封装/箱体 | PQFN-18 5x6 |
| 工厂包装数量 | 4000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 栅极电荷Qg | 8.3 nC |
| 标准包装 | 4,000 |
| 正向跨导-最小值 | 17 S, 106 S |
| 汲极/源极击穿电压 | 30 V |
| 漏极连续电流 | 13 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 13A，28A |
| 配置 | Dual |
| 闸/源击穿电压 | 20 V |
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