SI3586DV-T1-E3产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供SI3586DV-T1-E3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI3586DV-T1-E3价格参考。VishaySI3586DV-T1-E3封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列， N 和 P 沟道 Mosfet 阵列 20V 2.9A，2.1A 830mW 表面贴装 6-TSOP。您可以下载SI3586DV-T1-E3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SI3586DV-T1-E3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Vishay Siliconix 的 SI3586DV-T1-E3 是一款双 N 沟道 MOSFET 阵列器件，常用于需要高效、低电压控制的电源管理和负载开关应用。该器件采用小型封装，适合空间受限的设计，广泛应用于以下场景：

1. 电源管理：用于DC-DC转换器、同步整流器和负载开关，提高能效并减小系统尺寸。  
2. 电池供电设备：如笔记本电脑、平板电脑和便携式仪器，用于延长电池寿命和优化功耗。  
3. 电机控制：在小型电机或步进电机驱动电路中作为开关元件，实现高效控制。  
4. 通信设备：用于基站、路由器和交换机中的电源模块，提供稳定高效的功率转换。  
5. 工业自动化：在PLC、传感器模块和工业控制电路中实现快速开关和低导通电阻。  

其低导通电阻（Rds(on)）和高开关速度使其适用于高频开关应用，同时具备良好的热稳定性和可靠性，适合在严苛环境中使用。

SI3586DV-T1-E3产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供SI3586DV-T1-E3由Ningbo connfly electronic设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI3586DV-T1-E3价格参考。Ningbo connfly electronicSI3586DV-T1-E3封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列， N 和 P 沟道 Mosfet 阵列 20V 2.9A，2.1A 830mW 表面贴装 6-TSOP。您可以下载SI3586DV-T1-E3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SI3586DV-T1-E3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Vishay Siliconix 的 SI3586DV-T1-E3 是一款双 N 沟道 MOSFET 阵列器件，常用于需要高效、低电压控制的电源管理和负载开关应用。该器件采用小型封装，适合空间受限的设计，广泛应用于以下场景：

1. 电源管理：用于DC-DC转换器、同步整流器和负载开关，提高能效并减小系统尺寸。  
2. 电池供电设备：如笔记本电脑、平板电脑和便携式仪器，用于延长电池寿命和优化功耗。  
3. 电机控制：在小型电机或步进电机驱动电路中作为开关元件，实现高效控制。  
4. 通信设备：用于基站、路由器和交换机中的电源模块，提供稳定高效的功率转换。  
5. 工业自动化：在PLC、传感器模块和工业控制电路中实现快速开关和低导通电阻。  

其低导通电阻（Rds(on)）和高开关速度使其适用于高频开关应用，同时具备良好的热稳定性和可靠性，适合在严苛环境中使用。