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  • 型号: SI3586DV-T1-E3
  • 制造商: Vishay
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SI3586DV-T1-E3产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供SI3586DV-T1-E3由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI3586DV-T1-E3价格参考。VishaySI3586DV-T1-E3封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列, N 和 P 沟道 Mosfet 阵列 20V 2.9A,2.1A 830mW 表面贴装 6-TSOP。您可以下载SI3586DV-T1-E3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有SI3586DV-T1-E3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET N/P-CH 20V 2.9A 6TSOPMOSFET N&P-CH 20V (D-S)

产品分类

FET - 阵列分离式半导体

FET功能

逻辑电平门

FET类型

N 和 P 沟道

Id-ContinuousDrainCurrent

2.9 A

Id-连续漏极电流

2.9 A

品牌

Vishay / SiliconixVishay Siliconix

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SI3586DV-T1-E3TrenchFET®

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产品型号

SI3586DV-T1-E3SI3586DV-T1-E3

Pd-PowerDissipation

830 mW

Pd-功率耗散

830 mW

RdsOn-Drain-SourceResistance

60 mOhms, 110 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

60 mOhms, 110 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

+/- 20 V

Vds-漏源极击穿电压

20 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 8 V

Vgs-栅源极击穿电压

8 V

上升时间

52 ns, 55 ns

下降时间

52 ns, 55 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

1.1V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

-

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

6nC @ 4.5V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

60 毫欧 @ 3.4A,4.5V

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产品种类

MOSFET

供应商器件封装

6-TSOP

其它名称

SI3586DV-T1-E3DKR

典型关闭延迟时间

25 ns, 55 ns

功率-最大值

830mW

包装

Digi-Reel®

商标

Vishay / Siliconix

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

6-TSOP(0.065",1.65mm 宽)

封装/箱体

TSOP-6

工厂包装数量

3000

晶体管极性

N and P-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1

漏源极电压(Vdss)

20V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

2.9A,2.1A

通道模式

Enhancement

配置

Dual

零件号别名

SI3586DV-E3

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