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Datasheet下载- 型号： SI3585DV-T1-E3
- 制造商： Vishay
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SI3585DV-T1-E3产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SI3585DV-T1-E3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI3585DV-T1-E3价格参考。VishaySI3585DV-T1-E3封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列， N 和 P 沟道 Mosfet 阵列 20V 2A，1.5A 830mW 表面贴装 6-TSOP。您可以下载SI3585DV-T1-E3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SI3585DV-T1-E3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SI3585DV-T1-E3 是一款双通道 N 沟道增强型 MOSFET 阵列，适用于多种电子电路设计场景。以下是其主要应用场景： 1. 电源管理 - 负载开关：该器件可用于实现高效的负载开关功能，控制电路中不同负载的通断。 - DC-DC 转换器：在降压或升压转换器中作为功率开关使用，提供低导通电阻（Rds(on)）以减少功耗。 - 电池管理：用于电池保护电路中，控制充电和放电路径。 2. 电机驱动 - 小型电机控制：适用于低功率直流电机的启动、停止和速度调节。 - H 桥电路：可用于构建 H 桥驱动器，实现电机的正转、反转和制动功能。 3. 信号切换 - 模拟信号切换：利用其低导通电阻特性，在音频或视频信号切换应用中提供低失真性能。 - 数字信号切换：在高速数字信号传输中，用作信号路径的开关。 4. 便携式设备 - 智能手机和平板电脑：用于内部电源分配和管理，支持高效节能。 - 可穿戴设备：在低功耗需求的应用中，提供紧凑且高效的解决方案。 5. 工业应用 - 传感器接口：用于控制传感器的供电或信号路径。 - 继电器替代：在需要快速切换和长寿命的场合，可以用 MOSFET 阵列替代传统机械继电器。 6. 汽车电子 - 车载信息娱乐系统：用于音频放大器或其他子系统的电源管理。 - LED 照明控制：在车内照明系统中，用作电流调节和亮度控制的开关。 特性优势 - 低导通电阻：有助于降低功耗并提高效率。 - 小型封装：节省 PCB 空间，适合高密度设计。 - 高可靠性：符合工业标准，适用于严苛环境。 综上所述，SI3585DV-T1-E3 广泛应用于消费电子、通信设备、工业自动化和汽车电子等领域，能够满足多种高效、紧凑的设计需求。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N/P-CH 20V 2A 6-TSOPMOSFET 20V 2.4/1.8A |
| 产品分类 | FET - 阵列分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | N 和 P 沟道 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 2.4 A |
| Id-连续漏极电流 | 2.4 A |
| 品牌 | Vishay / SiliconixVishay Siliconix |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SI3585DV-T1-E3TrenchFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | SI3585DV-T1-E3SI3585DV-T1-E3 |
| Pd-PowerDissipation | 830 mW |
| Pd-功率耗散 | 830 mW |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 125 mOhms, 200 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 125 mOhms, 200 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 20 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 12 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 12 V |
| 上升时间 | 30 ns, 34 ns |
| 下降时间 | 30 ns, 34 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 600mV @ 250µA （最小） |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | - |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 3.2nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 125 毫欧 @ 2.4A，4.5V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 6-TSOP |
| 其它名称 | SI3585DV-T1-E3CT |
| 典型关闭延迟时间 | 14 ns, 19 ns |
| 功率-最大值 | 830mW |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 商标名 | TrenchFET |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 6-TSOP（0.065"，1.65mm 宽） |
| 封装/箱体 | TSOP-6 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | N and P-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 2A，1.5A |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Dual |
| 零件号别名 | SI3585DV-E3 |
