Datasheet下载- 型号： SIZ910DT-T1-GE3
- 制造商： Vishay
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SIZ910DT-T1-GE3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SIZ910DT-T1-GE3价格参考。VishaySIZ910DT-T1-GE3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载SIZ910DT-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SIZ910DT-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SIZ910DT-T1-GE3 是一款由两个P沟道MOSFET组成的阵列器件，常用于需要高效电源管理和负载开关控制的场合。该器件具有低导通电阻、小型封装和良好的热性能，适用于空间受限且对效率要求较高的应用。 其主要应用场景包括： 1. 电源管理：在DC-DC转换器、负载开关或电池供电设备中作为高边开关使用，实现对电路的高效控制与节能。 2. 电机驱动：可用于小型电机或继电器的开关控制，提供快速响应和可靠的功率切换能力。 3. 工业控制系统：如PLC模块、传感器接口等，用于隔离和控制外部负载。 4. 汽车电子：如车载充电系统、车身控制模块等，得益于其可靠性和小尺寸，适合在严苛环境中工作。 5. 消费类电子产品：例如笔记本电脑、平板、智能家电等设备中的电源切换和保护电路。 综上，SIZ910DT-T1-GE3适用于需要双路P沟道MOSFET进行电源控制的各种中小型功率应用场景。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET 2N-CH 30V 40A POWERPAIRMOSFET 30V 40A / 40A Dual N-Ch MOSFET |
| 产品分类 | FET - 阵列分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | 2 个 N 通道（半桥） |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 22 A |
| Id-连续漏极电流 | 22 A |
| 品牌 | Vishay / SiliconixVishay Siliconix |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SIZ910DT-T1-GE3TrenchFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | SIZ910DT-T1-GE3SIZ910DT-T1-GE3 |
| Pd-PowerDissipation | 4.6 W, 5.2 W |
| Pd-功率耗散 | 4.6 W, 5.2 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 4.8 mOhms, 2.5 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 4.8 mOhms, 2.5 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 25 ns, 35 ns |
| 下降时间 | 10 ns, 12 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.2V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1500pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 40nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 5.8 毫欧 @ 20A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 8-PowerPair® |
| 其它名称 | SIZ910DT-T1-GE3DKR |
| 功率-最大值 | 48W，100W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 4.8 mOhms, 2.5 mOhms |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 8-PowerWDFN |
| 封装/箱体 | PowerPAIR-8 6x5 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 正向跨导-最小值 | 94 S, 140 S |
| 汲极/源极击穿电压 | 30 V |
| 漏极连续电流 | 22 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 特色产品 | http://www.digikey.com/product-highlights/cn/zh/vishay-powerpair/2826 |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 40A |
| 系列 | SIZxxxDT |
| 配置 | Dual |
| 零件号别名 | SIZ910DT-GE3 |
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