ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 单 > BSP296NH6327XTSA1
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ¥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供BSP296NH6327XTSA1由Infineon设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BSP296NH6327XTSA1价格参考。InfineonBSP296NH6327XTSA1封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 100V 1.2A(Ta) 1.8W(Ta) PG-SOT223-4。您可以下载BSP296NH6327XTSA1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有BSP296NH6327XTSA1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies(英飞凌)的BSP296NH6327XTSA1是一款N沟道功率MOSFET,属于晶体管中的场效应管(FET),广泛应用于中小功率电源管理与开关控制场景。该器件具有低导通电阻、高开关速度和优良的热稳定性,适合在紧凑型电子设备中高效工作。 典型应用场景包括: 1. 电源管理系统:用于DC-DC转换器、电压调节模块(VRM)及负载开关,提升电源转换效率,降低能耗。 2. 消费类电子产品:如智能手机、平板电脑、笔记本电脑中的电池保护电路和电源切换模块。 3. 工业控制设备:用于电机驱动、继电器驱动和I/O开关,实现快速响应和可靠控制。 4. 汽车电子系统:适用于车身电子控制单元(ECU)、车灯驱动、小型电机控制等车载低压应用,具备良好的温度适应性和可靠性。 5. 便携式设备:因封装小型化(如PG-SCT500),适合空间受限的设计,如移动电源、无线耳机充电盒等。 BSP296NH6327XTSA1凭借其高集成度、低功耗特性,在需要高效能与小尺寸兼顾的应用中表现优异,是现代电子系统中理想的开关元件选择。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 100V 1.1A SOT-223 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平栅极,4.5V 驱动 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| 品牌 | Infineon Technologies |
| 数据手册 | http://www.infineon.com/dgdl/BSP296N_rev2+0.pdf?folderId=db3a3043156fd573011622e10b5c1f67&fileId=db3a30433dd58def013dd5af675d001f |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | BSP296NH6327XTSA1 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | OptiMOS™ |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 1.8V @ 100µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 152.7pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 6.7nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 600 毫欧 @ 1.2A, 10V |
| 供应商器件封装 | PG-SOT223-4 |
| 其它名称 | SP001059330 |
| 功率-最大值 | 1.8W |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-261-4,TO-261AA |
| 标准包装 | 1,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 100V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 1.2A (Ta) |