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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供BZX55C9V1-TR由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BZX55C9V1-TR价格参考。VishayBZX55C9V1-TR封装/规格:二极管 - 齐纳 - 单, Zener Diode 9.1V 500mW Through Hole DO-35。您可以下载BZX55C9V1-TR参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有BZX55C9V1-TR 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
BZX55C9V1-TR 是由 Vishay Semiconductor Diodes Division 生产的一款单齐纳二极管,其主要应用场景包括以下几个方面: 1. 电压稳压 BZX55C9V1-TR 的齐纳电压为 9.1V(±5% 精度),非常适合用于低功率电路中的电压稳压。它能够将输出电压稳定在设定值,适用于需要精确电压参考的场合,例如电源电路、传感器供电或信号调理电路。 2. 过压保护 在电路设计中,该齐纳二极管可用于防止输入电压过高对后续电路造成损害。例如,在信号输入端或电源输入端,BZX55C9V1-TR 可以钳位电压,确保其不超过 9.1V,从而保护敏感器件。 3. 参考电压源 由于其稳定的齐纳电压特性,BZX55C9V1-TR 常被用作简单的参考电压源。它可以为模拟电路、比较器或 ADC/DAC 提供基准电压,特别是在精度要求不高的应用中。 4. 信号电平调整 在通信或信号处理电路中,BZX55C9V1-TR 可用于限制信号幅值,避免信号超过特定范围。这种功能对于音频电路、射频电路或数据传输线路尤为有用。 5. 电池管理 在小型电池管理系统中,该齐纳二极管可以用来监控电池电压,当电压达到一定值时触发保护机制,例如防止过充或过放。 6. 温度补偿电路 齐纳二极管的反向击穿电压会随温度变化,而 BZX55C9V1-TR 的温度系数相对较低,适合用于一些简单的温度补偿电路中。 特性总结: - 额定功率:0.5W(最大) - 工作温度范围:-55°C 至 +150°C - 封装形式:DO-35 小型玻璃封装,适合紧凑型设计 这款二极管适用于低功耗、低成本的设计需求,广泛应用于消费电子、工业控制、汽车电子和通信设备等领域。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
描述 | DIODE ZENER 500MW 9.1V DO35稳压二极管 9.1 Volt 0.5W 5% |
产品分类 | 单二极管/齐纳分离式半导体 |
品牌 | Vishay SemiconductorsVishay Semiconductor Diodes Division |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 二极管与整流器,稳压二极管,Vishay Semiconductors BZX55C9V1-TR- |
数据手册 | |
产品型号 | BZX55C9V1-TRBZX55C9V1-TR |
不同If时的电压-正向(Vf) | 1.5V @ 200mA |
不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 100nA @ 6.8V |
产品种类 | Zener Diodes |
供应商器件封装 | DO-35 |
其它名称 | BZX55C9V1GICT |
功率-最大值 | 500mW |
功率耗散 | 500 mW |
包装 | 剪切带 (CT) |
商标 | Vishay Semiconductors |
安装类型 | 通孔 |
安装风格 | Through Hole |
容差 | - |
封装 | Reel |
封装/外壳 | DO-204AH,DO-35,轴向 |
封装/箱体 | DO-35 |
工作温度 | 175°C |
工厂包装数量 | 10000 |
最大反向漏泄电流 | 100 nA |
最大工作温度 | + 175 C |
最大齐纳阻抗 | 10 Ohms |
最小工作温度 | - 65 C |
标准包装 | 1 |
电压-齐纳(标称值)(Vz) | 9.1V |
电压容差 | 6 % |
电压温度系数 | 0.06 %/K |
配置 | Single |
阻抗(最大值)(Zzt) | 10 欧姆 |
齐纳电压 | 9.05 V |