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产品简介:
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NTMFD4901NFT3G是安森美(ON Semiconductor)生产的一款MOSFET阵列器件,属于N沟道增强型功率MOSFET,采用双芯片封装(如双N通道),具备低导通电阻和高开关效率。该型号广泛应用于需要高效、紧凑电源管理的场景。 典型应用场景包括:便携式电子设备(如智能手机、平板电脑)中的电源开关与负载管理;电池供电系统中的电源分配与保护电路;DC-DC转换器中用于同步整流,提升转换效率;电机驱动电路中作为开关元件控制小型直流电机或步进电机;以及各类消费类电子产品中的热插拔控制和过流保护功能。 此外,NTMFD4901NFT3G因其小尺寸封装(如DFN或类似表面贴装形式)和高集成度,特别适合空间受限的高密度PCB设计。其优良的热性能和可靠性也使其适用于工业控制、通信模块及电源管理系统中,支持高频开关操作,有助于降低整体功耗和发热。 综上,该器件适用于对效率、体积和可靠性有较高要求的中低功率电源与开关应用场合。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | MOSFET N-CH DUAL 30V 8DFN |
产品分类 | FET - 阵列 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | 2 个 N 通道(双),肖特基 |
品牌 | ON Semiconductor |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | NTMFD4901NFT3G |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | - |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2.2V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1150pF @ 15V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 9.7nC @ 4.5V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 6.5 毫欧 @ 10A,10V |
供应商器件封装 | 8-DFN(5x6) |
功率-最大值 | 1.1W |
包装 | 带卷 (TR) |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | 8-PowerTDFN |
标准包装 | 5,000 |
漏源极电压(Vdss) | 30V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 13.5A |