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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供NTJD2152PT2G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NTJD2152PT2G价格参考。ON SemiconductorNTJD2152PT2G封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载NTJD2152PT2G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有NTJD2152PT2G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ON Semiconductor(安森美)的NTJD2152PT2G是一款P沟道MOSFET阵列器件,内部集成两个独立的P沟道MOSFET,采用SOT-563(SC-88)小型封装,适用于空间受限的便携式电子设备。该器件主要应用于需要低功耗、高效率开关控制的场景。 典型应用场景包括:便携式消费类电子产品中的电源管理与负载开关控制,如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中的电池供电切换;在DC-DC转换电路中作为高端或低端开关,用于电压调节;也可用于信号切换、LED驱动控制以及I/O端口保护电路。由于其具备较低的导通电阻(RDS(on))和良好的开关特性,适合高频开关操作,有助于提高系统能效。 此外,NTJD2152PT2G具有静电放电(ESD)保护能力,增强了器件在复杂电磁环境下的可靠性,因此也适用于工业控制、通信模块及传感器接口等对稳定性要求较高的场合。其无铅、符合RoHS标准的设计,满足现代电子产品环保要求。总体而言,该器件凭借小尺寸、高性能和高可靠性,广泛用于各类需要紧凑型MOSFET阵列解决方案的电子系统中。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET P-CH 8V DUAL ESD SOT-363 |
| 产品分类 | FET - 阵列 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | 2 个 P 沟道(双) |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | NTJD2152PT2G |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 1V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 225pF @ 8V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 4nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 300 毫欧 @ 570mA,4.5V |
| 供应商器件封装 | SC-88/SC70-6/SOT-363 |
| 功率-最大值 | 270mW |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 |
| 标准包装 | 3,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 8V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 775mA |