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产品简介:
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EFC6601R-TR 是安森美半导体(ON Semiconductor)生产的一款MOSFET阵列器件,主要应用于需要高效功率管理和开关控制的电子系统中。该器件内部集成了多个MOSFET,通常用于需要高集成度和高效率的场合。 其典型应用场景包括: 1. 电源管理:如DC-DC转换器、负载开关和电源分配系统,适用于笔记本电脑、服务器和通信设备中的电源管理模块。 2. 电机控制:用于小型电机或步进电机的驱动电路,常见于工业自动化设备、打印机和扫描仪等办公设备中。 3. 负载开关与热插拔控制:在服务器和存储设备中作为负载开关使用,支持热插拔功能,确保系统在不断电情况下更换模块。 4. LED背光与照明控制:用于LED背光驱动或智能照明系统中的开关控制,提供高效、快速的响应能力。 5. 汽车电子:如车载信息娱乐系统、电动助力转向系统(EPS)等对空间和效率要求较高的应用。 该器件采用小型封装,具有低导通电阻、高集成度和良好热性能的特点,适合高密度PCB设计和对可靠性要求较高的应用场景。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | MOSFET N-CH 24V 6A EFCP |
产品分类 | FET - 阵列 |
FET功能 | 逻辑电平栅极,2.5V 驱动 |
FET类型 | 2 个 N 沟道(双) |
品牌 | ON Semiconductor |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | EFC6601R-TR |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | - |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | - |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | - |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 48nC @ 4.5V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | - |
供应商器件封装 | * |
功率-最大值 | 2W |
包装 | 带卷 (TR) |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | 4-XFBGA |
标准包装 | 5,000 |
漏源极电压(Vdss) | - |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | - |