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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供SI9936DY由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI9936DY价格参考。Fairchild SemiconductorSI9936DY封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载SI9936DY参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有SI9936DY 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
SI9936DY是安森美(ON Semiconductor)推出的一款P沟道MOSFET阵列,采用双通道配置,封装小巧,适用于空间受限的便携式电子设备。该器件主要应用于需要低功耗、高效率开关控制的场景。 典型应用场景包括: 1. 电源管理:用于电池供电设备中的负载开关或电源通断控制,如智能手机、平板电脑和可穿戴设备,实现对不同模块的上电时序管理与节能设计。 2. 电压反向保护:凭借其P沟道特性,常用于防止电源反接导致的电路损坏,广泛应用于USB接口、充电器及小型电源模块中。 3. 信号切换与逻辑控制:在低电压、低电流信号路径中作为开关元件,适用于传感器模块、I²C总线隔离或GPIO扩展电路。 4. 便携式消费类电子产品:因具备低导通电阻(RDS(on))和小封装(如SOT-23-6),适合集成在主板或电源管理单元中,提升整体能效与可靠性。 SI9936DY工作电压范围宽,驱动简单,无需额外电平转换即可与常见逻辑IC(如微控制器)直接接口,简化设计。同时,其良好的热稳定性和静电防护能力,使其在工业环境与消费电子中均表现出色。总体而言,该型号特别适合对尺寸、功耗和可靠性要求较高的中低端功率开关应用。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH DUAL 8-SOIC |
| 产品分类 | FET - 阵列 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | 2 个 N 沟道(双) |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | SI9936DY |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 1V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 525pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 35nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 50 毫欧 @ 5A,10V |
| 供应商器件封装 | 8-SOIC N |
| 功率-最大值 | 900mW |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
| 标准包装 | 2,500 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 5A |