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Datasheet下载- 型号： SI4500BDY-T1-GE3
- 制造商： Vishay
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SI4500BDY-T1-GE3产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SI4500BDY-T1-GE3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI4500BDY-T1-GE3价格参考。VishaySI4500BDY-T1-GE3封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列， N 和 P 沟道，共漏 Mosfet 阵列 20V 6.6A，3.8A 1.3W 表面贴装 8-SO。您可以下载SI4500BDY-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SI4500BDY-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SI4500BDY-T1-GE3 是一款双N沟道功率MOSFET阵列器件，常用于需要高效、低导通电阻和紧凑设计的电源管理系统中。该器件适用于以下主要应用场景： 1. 电源管理与DC-DC转换器：由于其低导通电阻（Rds(on)）和高效率特性，SI4500BDY-T1-GE3广泛应用于笔记本电脑、服务器和通信设备中的同步整流、电压调节模块（VRM）及DC-DC转换器。 2. 负载开关与电源分配：在需要控制多个电源路径或负载开关的应用中，例如移动设备、工业控制系统，该MOSFET可用于高效地开启或关闭电源供应，减少静态功耗。 3. 电机驱动与功率控制：在小型电机驱动器、风扇控制或继电器替代方案中，该器件可提供可靠的高频开关性能，提升系统效率并减小电路尺寸。 4. 电池管理系统（BMS）：在电池供电设备中，用于实现充放电控制、过流保护和电池切换等功能，提升电池使用安全性和寿命。 5. 消费类电子产品：如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中，用于高密度、低功耗的电源设计。 该器件采用小型封装，具备良好的热性能，适合高密度PCB布局，适用于需要高效率与可靠性的中低功率应用。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N/P-CH 20V 6.6A 8-SOICMOSFET 20V 9.1/5.3A 2.5W 20/60mohm @ 4.5V |
| 产品分类 | FET - 阵列分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | N 和 P 沟道，共漏 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 6.6 A |
| Id-连续漏极电流 | 6.6 A |
| 品牌 | Vishay / SiliconixVishay Siliconix |
| 产品手册 | http://www.vishay.com/doc?72281 |
| 产品图片 |
|
| rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SI4500BDY-T1-GE3TrenchFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | SI4500BDY-T1-GE3SI4500BDY-T1-GE3 |
| Pd-PowerDissipation | 1.3 W |
| Pd-功率耗散 | 1.3 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 16 mOhms, 48 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 16 mOhms, 48 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 20 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 12 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 12 V |
| 上升时间 | 50 ns, 35 ns |
| 下降时间 | 15 ns, 35 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | - |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 17nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 20 毫欧 @ 9.1A，4.5V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 8-SO |
| 其它名称 | SI4500BDY-T1-GE3CT |
| 典型关闭延迟时间 | 31 ns, 55 ns |
| 功率-最大值 | 1.3W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 16 mOhms, 48 mOhms |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 封装/箱体 | SOIC-8 Narrow |
| 工厂包装数量 | 2500 |
| 晶体管极性 | N and P-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 汲极/源极击穿电压 | 20 V |
| 漏极连续电流 | 6.6 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 6.6A，3.8A |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Half-Bridge |
| 零件号别名 | SI4500BDY-GE3 |
