Datasheet下载- 型号： VEC2616-TL-H
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供VEC2616-TL-H由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 VEC2616-TL-H价格参考。ON SemiconductorVEC2616-TL-H封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载VEC2616-TL-H参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有VEC2616-TL-H 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
型号为VEC2616-TL-H的ON Semiconductor产品属于晶体管中的MOSFET阵列器件，主要应用于需要高效、紧凑功率管理解决方案的场合。该器件集成了多个MOSFET，适用于电源转换、负载开关、电机驱动、DC-DC转换器等应用。 其典型应用场景包括： 1. 电源管理系统：用于便携式设备（如笔记本电脑、平板）中的电源分配与管理，提高能效并减小电路体积。 2. 电池供电设备：在电池管理系统中作为高/低边开关，实现对负载的高效控制，延长电池寿命。 3. DC-DC转换器：用于同步整流或功率级设计，提升转换效率，适用于通信设备、工业控制系统。 4. 电机驱动电路：用于小型电机或步进电机的驱动控制，常见于打印机、扫描仪等办公设备。 5. LED背光控制：用于调节LED背光亮度，提供稳定电流控制，常见于显示器和移动设备。 VEC2616-TL-H采用小型封装，具备良好的热性能和集成度，适合高密度PCB设计，广泛应用于消费电子、工业自动化、通信设备等领域。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N/P-CH 60V VEC8MOSFET PCH+NCH 4V DRIVE SERIES |
| 产品分类 | FET - 阵列分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | N 和 P 沟道 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 3 A |
| Id-连续漏极电流 | 3 A |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,ON Semiconductor VEC2616-TL-H- |
| mouser_ship_limit | 该产品可能需要其他文件才能进口到中国。 |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | VEC2616-TL-H |
| Pd-PowerDissipation | 0.9 W |
| Pd-功率耗散 | 0.9 W |
| Qg-GateCharge | 10 nC |
| Qg-栅极电荷 | 10 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 137 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 137 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | +/- 60 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | +/- 60 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | +/- 20 V |
| 上升时间 | 7.5 ns |
| 下降时间 | 22 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.6V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 505pF @ 20V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 10nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 80 毫欧 @ 1.5A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 8-VEC |
| 典型关闭延迟时间 | 41 ns |
| 功率-最大值 | 1W |
| 功率耗散 | 0.9 W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 137 mOhms |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 8-SMD，扁平引线 |
| 封装/箱体 | VEC-8 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | N and P-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 栅极电荷Qg | 10 nC |
| 标准包装 | 3,000 |
| 汲极/源极击穿电压 | +/- 60 V |
| 漏极连续电流 | 3 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 2.5A |
| 系列 | VEC2616 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Dual Complementary |
| 闸/源击穿电压 | +/- 20 V |
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