ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 > NTMD5838NLR2G
Datasheet下载- 型号： NTMD5838NLR2G
- 制造商： ON Semiconductor
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NTMD5838NLR2G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NTMD5838NLR2G价格参考￥1.29-￥1.29。ON SemiconductorNTMD5838NLR2G封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列， 2 个 N 沟道（双） Mosfet 阵列 40V 7.4A 2.1W 表面贴装 8-SOIC。您可以下载NTMD5838NLR2G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NTMD5838NLR2G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ON Semiconductor的NTMD5838NLR2G是一款晶体管FET，MOSFET阵列，广泛应用于各种电子设备中。以下是该型号的应用场景： 1. 电源管理：NTMD5838NLR2G适用于电源管理系统中的开关应用，如DC-DC转换器、电压调节模块（VRM）等。其低导通电阻（Rds(on)）特性有助于提高效率，减少能量损耗。 2. 电机控制：在电机驱动和控制系统中，该MOSFET阵列可用于实现高效的开关操作。它能够快速响应控制信号，确保电机运行平稳，并降低功耗。 3. 电池保护电路：用于便携式设备（如智能手机、平板电脑、笔记本电脑等）的电池保护电路中，NTMD5838NLR2G可以提供过流、短路和过温保护功能，保障电池安全。 4. 负载开关：作为负载开关使用时，它可以迅速切断或接通电流路径，从而实现对不同负载的有效管理和保护。例如，在USB充电接口中，防止过载和短路情况发生。 5. 音频放大器：在音频设备中，该器件可作为输出级的一部分，帮助处理大功率音频信号，同时保持较低的失真度和噪声水平。 6. 通信设备：在网络路由器、交换机等通信设备中，NTMD5838NLR2G可用于信号调理、滤波以及电源切换等功能，确保数据传输稳定可靠。 7. 消费类电子产品：包括智能家电、游戏机等在内的多种消费类电子产品也常常采用此类MOSFET阵列来优化性能，提升用户体验。 总之，NTMD5838NLR2G凭借其优良的电气特性，在众多领域内都有着广泛的应用前景。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 40V 8.9A 8SOICMOSFET NFETDPAK40V100A3.7M OHM |
| 产品分类 | FET - 阵列分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | 2 个 N 沟道（双） |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 7.4 A |
| Id-连续漏极电流 | 7.4 A |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,ON Semiconductor NTMD5838NLR2G- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | NTMD5838NLR2G |
| Pd-PowerDissipation | 2.1 W |
| Pd-功率耗散 | 2.1 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 25 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 25 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 40 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 40 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 785pF @ 20V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 17nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 25 毫欧 @ 7A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 8-SOIC N |
| 功率-最大值 | 2.1W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 封装/箱体 | SOIC-8 |
| 工厂包装数量 | 2500 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 2,500 |
| 漏源极电压(Vdss) | 40V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 7.4A |
| 系列 | NTMD5838NL |
| 配置 | Dual |
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