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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供ALD1106PBL由Advanced Linear Devices设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 ALD1106PBL价格参考。Advanced Linear DevicesALD1106PBL封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载ALD1106PBL参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有ALD1106PBL 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ALD1106PBL是Advanced Linear Devices Inc.(ALD)生产的一款增强型N沟道MOSFET阵列器件,内部集成了两个匹配度极高的MOSFET晶体管。该器件属于低功耗、高精度模拟应用的理想选择,广泛应用于对器件匹配性和温度稳定性要求较高的场合。 典型应用场景包括:精密模拟开关、采样保持电路、低噪声放大器、有源滤波器以及电压控制电流源等。由于其出色的阈值电压匹配性和跨导一致性,ALD1106PBL特别适用于需要精确信号处理的仪器仪表、医疗电子设备和测试测量系统中。此外,它也常用于低功耗便携式设备中的电源管理与信号调节电路。 在音频处理领域,ALD1106PBL因其低失真和高线性特性,可用于高性能音频前置放大器或音调控制电路。同时,其CMOS工艺带来的低静态功耗,使其适合电池供电的应用环境。 总之,ALD1106PBL凭借优异的匹配性能、稳定的工作特性和低功耗优势,在精密模拟电路设计中发挥着重要作用,尤其适用于对信号完整性要求严苛的小信号处理系统。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET 4N-CH 10.6V 14DIPMOSFET Quad N-Channel Array |
| 产品分类 | FET - 阵列分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | 4 N 沟道,配对 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 4.8 mA |
| Id-连续漏极电流 | 4.8 mA |
| 品牌 | Advanced Linear Devices Inc |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Advanced Linear Devices ALD1106PBL- |
| mouser_ship_limit | 根据美国政府的出口法规规定,Mouser无法将此产品销售到您所在的国家。 |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | ALD1106PBL |
| Pd-PowerDissipation | 500 mW |
| Pd-功率耗散 | 500 mW |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 350 Ohms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 350 Ohms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 12 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 12 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 13.2 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 13.2 V |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 1V @ 1µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 3pF @ 5V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | - |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 500 欧姆 @ 5V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 14-PDIP |
| 其它名称 | 1014-1012 |
| 功率-最大值 | 500mW |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | Advanced Linear Devices |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装/外壳 | 14-DIP(0.300",7.62mm) |
| 封装/箱体 | PDIP-14 |
| 工厂包装数量 | 50 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 70 C |
| 最小工作温度 | 0 C |
| 标准包装 | 50 |
| 正向跨导-最小值 | 0.0018 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 10.6V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | - |
| 系列 | ALD1106P |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Quad |