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Datasheet下载- 型号： NTJD4001NT1G
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NTJD4001NT1G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NTJD4001NT1G价格参考。ON SemiconductorNTJD4001NT1G封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列， 2 个 N 沟道（双） Mosfet 阵列 30V 250mA 272mW 表面贴装 SC-88/SC70-6/SOT-363。您可以下载NTJD4001NT1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NTJD4001NT1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ON Semiconductor（安森美）的NTJD4001NT1G是一款P沟道MOSFET阵列器件，内部集成两个相同的P沟道MOSFET，采用双芯片封装（Dual Die），具有低导通电阻、小尺寸和高可靠性等特点。该器件常用于需要高效率电源管理和信号切换的应用场景。 主要应用场景包括：便携式电子设备（如智能手机、平板电脑、可穿戴设备）中的电源开关和负载管理，用于控制不同模块的供电以降低功耗；电池供电系统中的反向电流阻断和电池极性保护；DC-DC转换电路中的同步整流或电平转换；以及各类消费类电子产品中的逻辑电平移位和信号切换功能。 由于其采用1.8V至5V的宽栅极驱动电压范围，NTJD4001NT1G兼容低电压逻辑控制（如3.3V或1.8V系统），适合现代低功耗设计需求。同时，该器件具备良好的热稳定性和ESD保护能力，适用于紧凑型高密度PCB布局。 综上，NTJD4001NT1G广泛应用于移动设备、电源管理模块、嵌入式系统及各类需要高效、小型化开关解决方案的电子系统中，是实现节能与小型化设计的理想选择。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET 2N-CH 30V 250MA SOT-363MOSFET 30V 250mA Dual N-Channel |
| 产品分类 | FET - 阵列分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | 2 个 N 沟道（双） |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 250 mA |
| Id-连续漏极电流 | 250 mA |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,ON Semiconductor NTJD4001NT1G- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | NTJD4001NT1G |
| Pd-PowerDissipation | 0.272 W |
| Pd-功率耗散 | 272 mW |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 1.5 Ohms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 1.5 Ohms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 23 ns |
| 下降时间 | 23 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1.5V @ 100µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 33pF @ 5V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 1.3nC @ 5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 1.5 欧姆 @ 10mA，4V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | SC-88/SC70-6/SOT-363 |
| 其它名称 | NTJD4001NT1GOSDKR |
| 典型关闭延迟时间 | 94 ns |
| 功率-最大值 | 272mW |
| 功率耗散 | 0.272 W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 1.5 Ohms |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 封装/箱体 | SC-88-6 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 汲极/源极击穿电压 | 30 V |
| 漏极连续电流 | 250 mA |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 250mA |
| 系列 | NTJD4001N |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Dual |
| 闸/源击穿电压 | +/- 20 V |
![](https://productimg.icgoo.net/product-img/3m_photos/ITCSN-0800-6"-BLACK-12-3 PC PKS.jpg)
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