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Datasheet下载- 型号： SI4922BDY-T1-E3
- 制造商： Vishay
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SI4922BDY-T1-E3产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SI4922BDY-T1-E3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI4922BDY-T1-E3价格参考。VishaySI4922BDY-T1-E3封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列， 2 个 N 沟道（双） Mosfet 阵列 30V 8A 3.1W 表面贴装 8-SO。您可以下载SI4922BDY-T1-E3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SI4922BDY-T1-E3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SI4922BDY-T1-E3 是一款双通道 N 沟道增强型 MOSFET 阵列，广泛应用于需要高效开关和低功耗的电路中。以下是其主要应用场景： 1. 电源管理 - 负载开关：SI4922BDY-T1-E3 可用作负载开关，控制电源到下游电路的通断，适用于便携式设备（如智能手机、平板电脑等）。 - DC-DC 转换器：在降压或升压转换器中作为同步整流 MOSFET，提高效率并降低功耗。 - 电池保护：用于锂离子电池管理系统中，防止过充、过放或短路。 2. 信号切换 - 音频信号切换：在多输入音频设备中，用于选择不同的信号源。 - 数据线路切换：在 USB 或其他高速数据接口中，实现信号路径的动态切换。 3. 电机驱动 - 用于小型直流电机或步进电机的驱动电路中，提供高效的开关功能。 - 在 H 桥或半桥驱动器中，实现电机的正转、反转和刹车功能。 4. 热插拔保护 - 在服务器、网络设备或其他高可靠性系统中，用于限制浪涌电流并保护电路免受短路影响。 5. 消费电子 - 应用于笔记本电脑、游戏机、智能音箱等设备中的电源管理和信号切换。 - 在 LED 驱动电路中，用于调节亮度或实现开关控制。 6. 工业应用 - 在工业自动化设备中，用于传感器信号切换、继电器替代或小型执行器驱动。 - 在通信模块中，用于电源隔离或信号路由。 7. 汽车电子 - 用于车载信息娱乐系统、LED 照明控制或小型电机驱动。 - 在电池管理系统 (BMS) 中，用于监控和保护电池组。 特点支持： - 低导通电阻 (Rds(on))：减少功率损耗，适合高效应用。 - 小封装 (TSSOP)：节省 PCB 空间，适合紧凑设计。 - 高工作频率：支持高频开关应用，满足现代电子设备需求。 综上所述，SI4922BDY-T1-E3 凭借其高性能和小尺寸，适用于多种消费电子、工业和汽车领域的电源管理和信号切换场景。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET 2N-CH 30V 8A 8-SOICMOSFET DUAL N-CH 30V(D-S) |
| 产品分类 | FET - 阵列分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | 2 个 N 沟道（双） |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 8 A |
| Id-连续漏极电流 | 8 A |
| 品牌 | Vishay / SiliconixVishay Siliconix |
| 产品手册 | http://www.vishay.com/doc?74459 |
| 产品图片 |
|
| rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SI4922BDY-T1-E3TrenchFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | SI4922BDY-T1-E3SI4922BDY-T1-E3 |
| Pd-PowerDissipation | 2 W |
| Pd-功率耗散 | 2 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 16 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 16 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 12 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 12 V |
| 上升时间 | 27 ns, 53 ns |
| 下降时间 | 8 ns, 54 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1.8V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2070pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 62nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 16 毫欧 @ 5A，10V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 8-SO |
| 其它名称 | SI4922BDY-T1-E3DKR |
| 典型关闭延迟时间 | 31 ns, 68 ns |
| 功率-最大值 | 3.1W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 封装/箱体 | SOIC-8 Narrow |
| 工厂包装数量 | 2500 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 50 C |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 8A |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Dual |
| 零件号别名 | SI4922BDY-E3 |
