Datasheet下载- 型号： TPC8213-H(TE12LQ,M
- 制造商： Toshiba America Electronic Components, Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供TPC8213-H(TE12LQ,M由Toshiba America Electronic Components, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 TPC8213-H(TE12LQ,M价格参考。Toshiba America Electronic Components, Inc.TPC8213-H(TE12LQ,M封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载TPC8213-H(TE12LQ,M参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有TPC8213-H(TE12LQ,M 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
TPC8213-H(TE12LQ,M) 是东芝（Toshiba）半导体与存储部门生产的一款MOSFET阵列产品，主要用于需要高效功率管理与小型化设计的电子设备中。该器件将多个MOSFET集成在一个封装中，有助于减少PCB空间占用并提升系统集成度。 其主要应用场景包括： 1. 电源管理模块：适用于DC-DC转换器、负载开关和电池管理系统，尤其适合对效率和散热有要求的便携式设备和工业控制系统。 2. 电机驱动电路：可用于小型电机、步进电机或直流电机的控制，常见于打印机、扫描仪、机器人及自动化设备中。 3. 负载开关与电源分配：在服务器、通信设备或多路电源管理系统中，作为高效能负载开关使用，实现对不同电路模块的电源控制。 4. 汽车电子系统：如车载充电器、车身控制模块（BCM）等场景，适用于对可靠性有一定要求的车载应用。 5. 消费类电子产品：如笔记本电脑、平板、智能家电等，用于内部电源管理或外围接口的负载控制。 该器件采用小型封装（如WSON），具备良好的热性能和较高的集成度，适合高密度布局的电路设计，广泛应用于对空间与效率有较高要求的现代电子系统中。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH DUAL 60V 5A SOP8 |
| 产品分类 | FET - 阵列 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | 2 个 N 沟道（双） |
| 品牌 | Toshiba Semiconductor and Storage |
| 数据手册 | http://www.semicon.toshiba.co.jp/info/docget.jsp?pid=TPC8213-H&lang=en&type=datasheet点击此处下载产品Datasheet |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | TPC8213-H(TE12LQ,M |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.3V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 625pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 11nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 50 毫欧 @ 2.5A，10V |
| 供应商器件封装 | 8-SOP（5.5x6.0） |
| 功率-最大值 | 750mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.173"，4.40mm 宽） |
| 标准包装 | 3,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 5A |
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