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产品简介:
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ON Semiconductor的NVMFD5489NLWFT1G是一款MOSFET阵列产品,属于双N沟道功率MOSFET,采用先进的Trench肖特基技术制造,具有低导通电阻(RDS(on))和高效率特性。该器件常用于需要高效开关和电源管理的应用场景。 主要应用场景包括: 1. 电源管理:广泛应用于DC-DC转换器、同步整流电路中,提升电源转换效率,适用于笔记本电脑、平板和嵌入式系统的电源模块。 2. 负载开关与电源开关:在电池供电设备中用作负载开关,控制电源通断,降低待机功耗,延长电池寿命。 3. 电机驱动:适用于小型直流电机或步进电机的驱动电路,常见于便携式家电、电动工具和工业控制设备。 4. 热插拔与过流保护电路:因其快速响应能力和高可靠性,可用于服务器、通信设备中的热插拔电源管理模块。 5. 消费类电子产品:如智能手机、移动电源、USB充电管理等,实现高效的电压调节与电流控制。 该器件采用紧凑型封装(如DFN),适合高密度PCB布局,具备良好的热性能和可靠性,满足AEC-Q101车规认证,也可用于部分车载电子系统。其低阈值电压和高开关速度有助于降低系统功耗,提高整体能效。 综上,NVMFD5489NLWFT1G适用于对效率、尺寸和可靠性要求较高的中低功率电源开关与控制应用。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 60V 12A DFN8 |
| 产品分类 | FET - 阵列 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | 2 个 N 沟道(双) |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | NVMFD5489NLWFT1G |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 330pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 12.4nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 65 毫欧 @ 15A,10V |
| 供应商器件封装 | * |
| 功率-最大值 | 3W |
| 包装 | * |
| 安装类型 | * |
| 封装/外壳 | * |
| 标准包装 | 1,500 |
| 漏源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 4.5A |