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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IRF7379由International Rectifier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRF7379价格参考。International RectifierIRF7379封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IRF7379参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRF7379 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies(英飞凌科技)的型号IRF7379属于晶体管中的FET(场效应晶体管),具体为MOSFET阵列产品。该器件主要应用于需要高效功率管理与开关控制的电子系统中。 IRF7379是一款双N沟道增强型功率MOSFET,通常用于同步整流、DC-DC转换器、负载开关、电机控制以及电源管理系统中。其高集成度和优良的导通电阻特性使其在笔记本电脑、服务器、通信设备及工业控制系统等对空间和效率有较高要求的场合中广泛使用。 此外,该器件也适用于电池供电设备中的功率控制模块,如便携式电子产品和电动汽车中的辅助电源系统,能够有效提升能效并降低功耗。其封装形式通常为小型DFN或SOIC,适合高密度PCB布局。 总之,IRF7379凭借其高性能和可靠性,广泛应用于通信、计算、工业控制及消费类电子等领域的功率管理与开关控制电路中。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N+P 30V 4.3A 8-SOIC |
| 产品分类 | FET - 阵列 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | N 和 P 沟道 |
| 品牌 | International Rectifier |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | IRF7379 |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | HEXFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 1V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 520pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 25nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 45 毫欧 @ 5.8A,10V |
| 供应商器件封装 | 8-SO |
| 其它名称 | *IRF7379 |
| 功率-最大值 | 2.5W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
| 标准包装 | 95 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 5.8A,4.3A |