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  • 型号: IRF7853PBF
  • 制造商: International Rectifier
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IRF7853PBF产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供IRF7853PBF由International Rectifier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRF7853PBF价格参考。International RectifierIRF7853PBF封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 100V 8.3A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO。您可以下载IRF7853PBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRF7853PBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

Ciss-输入电容

1.64 nF

描述

MOSFET N-CH 100V 8.3A 8-SOICMOSFET 100V 1 N-CH HEXFET 18mOhms 28nC

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

8.3 A

Id-连续漏极电流

8.3 A

品牌

International Rectifier

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,International Rectifier IRF7853PBFHEXFET®

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产品型号

IRF7853PBF

PCN组件/产地

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Pd-PowerDissipation

2.5 W

Pd-功率耗散

2.5 W

Qg-GateCharge

28 nC

Qg-栅极电荷

28 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

18 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

14.4 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

100 V

Vds-漏源极击穿电压

100 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

Vgsth-栅源极阈值电压

4.9 V

上升时间

6.6 ns

下降时间

6 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

4.9V @ 100µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

1640pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

39nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

18 毫欧 @ 8.3A,10V

产品培训模块

http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

8-SO

典型关闭延迟时间

26 ns

功率-最大值

2.5W

功率耗散

2.5 W

包装

管件

商标

International Rectifier

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

导通电阻

18 mOhms

封装

Tube

封装/外壳

8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)

封装/箱体

SO-8

工厂包装数量

95

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

栅极电荷Qg

28 nC

标准包装

95

正向跨导-最小值

11 S

汲极/源极击穿电压

100 V

漏极连续电流

8.3 A

漏源极电压(Vdss)

100V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

8.3A (Ta)

配用

/product-detail/zh/IRAC1166-100W/IRAC1166-100W-ND/1640255

配置

Single

闸/源击穿电压

20 V

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