Datasheet下载- 型号： PSMN015-110P,127
- 制造商： NXP Semiconductors
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PSMN015-110P,127由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PSMN015-110P,127价格参考。NXP SemiconductorsPSMN015-110P,127封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载PSMN015-110P,127参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PSMN015-110P,127 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PSMN015-110P,127 是 NXP USA Inc. 推出的一款高性能 N 沟道增强型逻辑电平 MOSFET，采用 TO-220AB 封装。其典型参数包括：VDS = 110 V、RDS(on) ≤ 15 mΩ（VGS = 10 V）、ID（连续）达 60 A，具备低导通损耗与良好热稳定性。 该器件主要应用于中高压、中大电流的开关场景，常见于： ✅ 工业电源系统：如开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器中的同步整流或主开关管； ✅ 电机控制：用于 24–48 V 直流电机驱动器、BLDC 电机控制器的功率级（H桥上/下臂）； ✅ 电池管理系统（BMS）：作为电池保护电路中的充放电主控开关或均衡开关； ✅ 照明电子：LED 驱动电源中的 PWM 开关元件（尤其适用于高效率、高可靠性要求的商用/工业照明）； ✅ 家电与自动化设备：如变频空调压缩机驱动、PLC 输出模块、继电器替代方案（固态开关）等。 其逻辑电平驱动特性（VGS(th) ≈ 2–4 V）支持直接由 MCU 或驱动 IC（如 3.3 V/5 V 电平）控制，简化外围电路设计；同时具备雪崩耐量（EAS = 430 mJ），提升系统鲁棒性。需注意合理设计 PCB 散热（建议加装散热片）及栅极驱动（避免振荡与过压），以发挥最佳性能。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 110V 75A TO220AB |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | PSMN015-110P,127 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | TrenchMOS™ |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 4900pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 90nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 15 毫欧 @ 25A，10V |
| 供应商器件封装 | TO-220AB |
| 其它名称 | 568-5772 |
| 功率-最大值 | 300W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 标准包装 | 50 |
| 漏源极电压(Vdss) | 110V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 75A （Tc） |
推荐商品
热门文章
- 创新在线价格指数发布
- ICGOO商城11月热搜型号盘点
- ICGOO商城10月热搜型号盘点
- 【活动已结束】这个双十一，ICGOO与你在“1”起
- ICGOO商城9月热搜型号盘点
- 【行业热点】智能家居会成为我们的刚需吗？
- ICGOO商城8月热搜型号盘点
- 【福利】ICGOO迎新季，新客注册下单享好礼，更有倍捷连接器多重惊喜哟~
PSMN015-110P,127 相关产品
猜你喜欢
最新产品推荐
其他制造商