Datasheet下载- 型号： IRFHM8235TRPBF
- 制造商： International Rectifier
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRFHM8235TRPBF由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFHM8235TRPBF价格参考。International RectifierIRFHM8235TRPBF封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IRFHM8235TRPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRFHM8235TRPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies 的 IRFHM8235TRPBF 是一款高性能的N沟道功率MOSFET，属于晶体管中的场效应管（FET），广泛应用于高效率、高频率和高功率密度的电源系统中。其主要应用场景包括： 1. DC-DC转换器：适用于车载、工业及通信设备中的降压（Buck）或升压（Boost）转换电路，因其低导通电阻（Rds(on)）和快速开关特性，可有效降低功耗，提高转换效率。 2. 汽车电子系统：作为AEC-Q101认证的车规级器件，IRFHM8235TRPBF常用于电动汽车（EV）和混合动力汽车（HEV）的车载充电机（OBC）、DC-DC变换器、电池管理系统（BMS）以及电机控制模块，满足严苛的温度与可靠性要求。 3. 电机驱动：在电动助力转向（EPS）、水泵、风扇等小功率电机驱动电路中，该MOSFET可实现高效、紧凑的设计，支持高频PWM控制。 4. 电源管理单元（PMU）：用于服务器、通信基站和工业电源中的负载开关或电源切换，具备良好的热稳定性和瞬态响应能力。 5. LED照明驱动：在高亮度LED驱动电源中，可用于恒流控制回路，提升能效与系统寿命。 IRFHM8235TRPBF采用先进的沟槽技术，具有低栅极电荷、优异的雪崩能量耐受能力和高可靠性，工作结温可达175°C，适合在高温、高振动等恶劣环境中稳定运行。其封装为PG-HSOF-8，便于散热和自动化生产，是现代高效电力电子系统的理想选择。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 25V 16A 8PQFNMOSFET 25V 7.3nC SGL N-CH HEXFET Pwr MOSFET |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 16 A |
| Id-连续漏极电流 | 16 A |
| 品牌 | International Rectifier |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRFHM8235TRPBFHEXFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRFHM8235TRPBF |
| Pd-PowerDissipation | 3 W |
| Pd-功率耗散 | 3 W |
| Qg-GateCharge | 7.7 nC |
| Qg-栅极电荷 | 7.7 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 10.3 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 10.3 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 25 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 25 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 1.8 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 1.8 V |
| 上升时间 | 16 ns |
| 下降时间 | 5.2 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.35V @ 25µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1040pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 12nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 7.7 毫欧 @ 20A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 8-PQFN（3.3X3.3），Power33 |
| 其它名称 | IRFHM8235TRPBFDKR |
| 典型关闭延迟时间 | 7.5 ns |
| 功率-最大值 | 3W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | International Rectifier |
| 商标名 | SmallPowIR |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 8-PowerTDFN |
| 封装/箱体 | PQFN-8 3X3 |
| 工厂包装数量 | 4000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 正向跨导-最小值 | 43 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 25V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 16A （Ta） |
| 系列 | IRFHM8235 |
| 配置 | Single Quad Drain Triple Source |
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